固体物理学：07_04 电导和霍耳效应.pdf

固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 §7.4 电导和霍耳效应 1. 半导体电导率 在一般电场情况下，半导体的导电服从欧姆定律：j σE —— σ为电导率 半导体中可以同时有两种载流子，将电流密度写成： j nqv− +pq v+ —— v+, v− 分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 v µ E —— 平均漂移速度和外场的关系： + + v µ E − − —— µ , µ 是空穴和电子的迁移率 —— 单位电场下载流子的平均漂移速度。 + − j nqµ E +pq µ E − + 电导率： σ nqµ =+pq µ − + 载流子的漂移运动是电场加速和半导体中散射的结果。散射来 自于晶格振动和杂质，在温度较高时，晶格振动对载流子的散 射是主要的，温度较低时，杂质的散射是主要的。迁移率一方 面决定于有效质量（加速作用），另一方面决定于散射几率。 在杂质激发的范围，主要是一种载流子导电 nqµ N Semiconductor ⎧ − 所以：σ ⎨ pq µ P Semiconductor ⎩ + 图XCH007_007 为不同掺杂的Ge 样品导电率随温度变化的结果。 1）在低温范围，杂质激发的载流子起主要作用，载流子的数目与掺杂的情况有关。因此不同掺杂 样品的导电率是不同的； 2 ）在高温范围，本征激发的载流子起主要作用，载流子的数目与掺杂的情况无关，载流子只决定 于材料的能带情况，因此导电率趋于一致； 3 ）在中间温度区间，温度升高时，导电率反而下降。这是因为杂质已全部被电离，而本征激发还 未开始，载流子的数目不在增加，由于晶格散射随温度加强，使得载流子的迁移率下降。 REVISED TIME: 05-5-23 - 1 - CREATED BY XCH 固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 2. 半导体的霍耳效应 如图XCH007_008 所示，将半导体片置于XY 平面内，电流沿X 方向，磁场垂直于半导体片沿Z 方 向。 如果是空穴导电的P 型半导体，载流子受到的洛伦兹力：F qv ×B ，F −qv B y x z 因此在半导体片的两端形成正负电荷的积累，从而产生静电场：E y 当达到稳恒后，满足关系：qE qv B y x z 电流密度：j x pqv x 1 1 电场强度：Ey j x