电路电子技术习题.docx

电路电子技术习题4 1 ?在常温下，硅二极管的门槛电压约为 _，导通后在较大电流下的正向压降约为 _；锗二极管的门槛电压约 为，导通后在较大电流下的正向压降约为。 一 2、 二极管的正向电阻 小；反向电阻 大。 3、 二极管的最主要特性是 单向导电性 °PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽 层变窄 。 4、 二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个—电阻 。— 5、 电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分, 其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下 工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。 6、 PN结反向偏置时，PN结的内 增强 o PN具有 具有单向导电 特性。 7、 硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变, 伏；其门坎电压 Vth约为 伏。 8二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、 P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子一空 穴对 。 10、 因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和 电子（N） 半导体两大类。 11、 二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反 — 最大整流电流 和反 TOC \o 1-5 \h \z 映反向特性的 反向击穿电压 。 12、 在常温下，硅二极管的开启电压约为 _V，导通后在较大电流下的正向压降约为 _V。 13、 频率响应是指在输入正弦信号的情况下，— 输岀随频率连续变化的稳态响应 二 15、 N型半导体中的多数载流子是 电子 ， 16、 按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分 、 乙类、 甲乙类 三种 基本类型。 17、 在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是 结_电容。 18在NPN^极管组成的基本共射放大电路中， 如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，则Ibq增大 ， I CQ增大 ，UCeQ减小 。 19、 三极管的三个工作区域是 截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用 直接耦合 方式的放大电路。 TOC \o 1-5 \h \z 20、 某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 U =，Vb= , Vc =,试问该三极管是 硅 管 管（材料），NPN 型的三极管，该管的集电极是 a、b、c中的C 。 21、 已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为 _ 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。 _ 22、 三极管实现放大作用的外部 — 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测 得管脚电压 Va = -1V ,Vb=, U=,这是 硅 管（硅、锗），NPN 型，集电极管脚是 a 。 23、 三种不同耦合方式的放大电路分别 和「变压器耦合_，其中 直 接耦合 能够放大缓慢变化的信号。 24、 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 ，而前级的输岀电阻可视为后级的 信 号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。 25、 某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入12k Q的负载电阻后，输出电压降为 3V，这说明放大 电路的输出电阻为 4 k Q 。 26、 为了保证三极管工作在放大区，要求: 发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。②对于NPN型三极管，应使 V V 0 。 27、 放大器级间耦合方式主要有阻容（ RC耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。 28、 在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用, 共射 组态有电 流放大作用， 共射和共集 组态有倒相作用; 共集 组态带负载能力强, 共集 组态 向信号源索取的电流小， 共基 组态的频率响应好。 29、 三极管放大电路的三种基本组态是 共集、共基、共射 。 30、 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合，阻容耦合，变压器耦合 。 31、 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波 也和Vi的波形，_则 /和V的相位差为 180° ;当为共集电极电路时，则 V。和Vi的相位差为_0_。 32、 放大器有两种不同性质的失真，分别是 饱和 失真和 截止 失真。 33、 晶体管工作在饱和区时，发射结 _a_，集电结_a—;工作在放大区时，集电结 _b_，发射结_a_。 （填写a正偏，b反偏，c零偏） 34、 在共射、共集和共基三种放大电路组态中， 希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相， 可选用_共 组态；希望输入电阻大、输岀电压与输入电压同相，可选用 共集 组