芯片命名规则.docxVIP

芯片命名规则 一、分立器件（除三 系列）及集成 路芯片命名方式 X x X X xxxx X xxx X x X X 表示必 X 表示可 (10) (9) (8) (7) (6) (5) (4) (3) (2) (1) (1) 1 位大写英文字母，表示晶 尺寸。 W表示 5 吋晶 ； S 表示 6 吋晶 ； E 表示 8 吋晶 。 (2) 1 位数字或大写英文字母，表示芯片种 。 1 表示二极管； 2 表示三极管、 MOS管； 3 表示可控硅； B 代表双极型集成 路； C 代表 MOS型集 成 路； M代表混合型集成 路等。 1 位大写英文字母，表示 品版 。 代表新 公司自主开 品；其余代表客 定制 品。 1 位大写英文字母，表示系列代 三极管系列 ： N表示 NPN双极型晶体管、 P 表示 PNP双极型晶体管、 D 表示达林 管； 二极管系列 ： A 表示阻尼二极管、 K 表示开关二 管 / 快恢复二极管、 T 表示 TVS二极管、 S 表示平面 构肖特基二极管、 Z 表示整流二极管、 V 表示沟槽 构肖特基二极管； W表示 二极管；可控硅系列 ： R表示可控硅； MOS 构系列 ： M表示 VDMOS管、 B 表示超 MOS 构二极管（ SBR）；集成 路系列 ：表示不同版 构， A、B、C、D、??依次区分。 4 位数字，表示管芯尺寸。 管芯 正方形 ，采用 表示管芯尺寸；管芯 方形 ，用面 的平方根表示管芯尺寸。其中末位数字 0、5 表示正方形，其余表示 方形。 ① 或面 的平方根 10mm，管芯尺寸 xxxx ×1μm，精确到 1μm。如： 0.215mm表示 0215、1.5mm表示 1500； 或面 的平方根 10mm，管芯尺寸 xxxx ×10μ m，精确到 10μm，首位用大写英文 字母代替。如： 10.55mm表示为 A055、31.6mm表示为 C160。 1 位大写英文字母，表示系列特征。 NPN/PNP双极型晶体管 ：B 表示小信号放大普通三极管、 K 表示开关三极管、 G 表示 GR结构三极管、 F 表示高频三极管、 W表示音响管（包括中功率管） ； 达林顿管 ：N表示 N型外延材料、 P 表示 P 型外延材料、 T 表示 N 型三扩材料； 阻尼二极管 ： N表示 N型材料、 P 表示 P 型材料 开关 / 快恢复二极管 ：N表示 N型材料、 P 表示 P 型材料； TVS二极管：N 表示 N 型材料、 P 表示 P 型材料； 平面结构肖特基二极管 ：代表不同金属势垒； 沟槽结构肖特基二极管（ TMBS）：代表不同金属势垒；MOS结构系列 ：：N 表示 N 沟道、 P 表示 P 沟道；稳压二极管 ： N、 E、 W等表示测试电流代码； 整流二极管 ： N表示 N型材料、 P 表示 P 型材料； 集成电路系列 ： N 表示采用 N型材料、 P 表示采用 P 型材料。 3 位数字，表示击穿电压规格。 击穿电压 10V，3 位数字中间 1 位用大写英文字母 V 取代，具体为 xVx 表示，精确到 0.1V ， 如： 3.3V 表示为 3V3、5V 表示为 5V0； 10V≤击穿电压 1kV，3 位数字 xxx ×1V，精确到 1V，如： 22V 表示为 022、 200V 表示为200； ③ 击穿电压≥ 1kV，xxx ×10V，首位数字用大写英文字母取代，精确到 10V，如：1050V表示 为 A05、3600V 表示为 C60。 1 位大写英文字母，表示正面电极金属。 L 表示 Al 、Y 表示 Ag 等。 1 位数字，表示系列特征，可缺省。 开关 / 快恢复二极管 ：表示单双胞结构， 2 表示双胞、缺省表示单胞； TVS二极管：表示通道数量，如 1 表示单通道、 2 表示双通道、 5 表示 5 通道；肖特基二极管 ：表示单双胞结构， 2 表示双胞、缺省表示单胞。 1 位大写英文字母，表示系列特征，可缺省。 NPN/PNP双极型晶体管 ：表示材料类型， T 表示三扩材料、缺省表示外延材料；TVS二极管：表示单双向结构， U 表示单向、 B 表示双向； 稳压二极管 ：表示测试精度， A 表示 2%测试精度、缺省表示 5%测试精度；可控硅：表示单双向结构， U 表示单向、 B 表示双向。 阻尼二极管 ：表示材料类型， T 表示三扩材料、缺省表示外延材料； MOS 结构系列 ：T 表示沟槽工艺、 P 表示平面工艺，其中 P 可缺省； 开关 / 快恢复二极管 ：表示不同开关 要求， 于有两种及以上开关 要求 用 A、B、C、??依次区分。 二、分立器件芯片命名方式（三 系列） × × × × × ××× × 大写英文字母，用于区分不同