2021年砷化镓行业深度研究报告23页.pdf

内容目录 一、下游应用驱动，GaAs、GaN 和SiC 各领风骚4 1.化合物半导体具有物理特性优势4 2.GaAs 主导sub-6G 5G 手机射频4 3.GaN 在5G 宏基站射频PA 的大发展5 4.SiC 有望颠覆汽车功率半导体未来6 二、产业化正循环，“奇点时刻”加速到来8 1.发展阶段、核心驱动因素及受益环节分析8 2.SiC 成本高昂之源及可靠性问题9 3.预计SiC“奇点时刻”五年之内到来 11 三、GaAs 代工比例提高，打造本土产业链闭环12 1.化合物半导体行业以IDM 模式为主12 2.欧美主导产业链，台湾厂商垄断代工13 3.代工比例提升，代工厂大举扩产15 4. 国内PA 产业链闭环，代工不可或缺16 5.三安光电：全面布局化合半导体17 四、Cree 引领SiC 产业，全球供需即将失衡19 1.全产业布局占优,国内追赶海外巨头19 2.需求增长，全球供需即将失衡20 3.Cree: 宽禁带化合物半导体的引领者21 4.英飞凌：全球最大功率IDM，布局SiC/GaN22 5.华润微：国内首家量产SiC 商用产线23 五、投资建议23 六、风险提示23 图表目录 图表1：不同半导体材料比较4 图表2：GaAs/GaN 材料应用4 图表3：中国砷化镓器件市场规模预测（亿元）5 图表4 ：GaAs 晶圆市场规模预测（按照应用） 5 图表5：5G 宏基站+小基站的架构演进5 图表6：GaN HEMT 具有更小尺寸的优势5 图表7：SiC 在高开关高频和高功率应用优势明显6 图表8：汽车逆变器往高压方向发展6 图表9：丰田碳化硅PCU 与硅PCU 体积对比7 图表10：OBC 的硅基方案与SiC 方案BOM 的比较7 图表11：车厂和零部件厂围绕碳化硅的布局进展7 图表12：SiC 在EV 上的四大应用领域8 图表13：SiC 功率器件在车载领域应用时间表8 图表14：光伏逆变器中碳化硅功率器件占比预测8 图表15：碳化硅功率器件市场规模预测9 图表16：化合物半导体行业复合增速比较9 图表17：碳化硅功率器件产业链示意图9 图表18：碳化硅晶体制作中的数字仿真10 图表19：碳化硅单晶生长工艺10 图表20：碳化硅加工过程 11 图表21：碳化硅的综合成本收益 11 图表22：SiC JBS 成本构成12 图表23：国内碳化硅衬底价格及趋势12 图表24：电动汽功率器件碳化硅方案与硅方案成本预测12 图表25： 硅晶圆及砷化镓代工产业比较13 图表26： GaAs 产业链示意图14 图表27：GaAs 外延片竞争格局14 图表28：GaAs 射频器件市场结构（2020E）14 图表29：全球砷化镓代工市场竞争格局15 图表30：稳懋产量、收入变化（2010-2019 年）15 图表31：稳懋与客户客户关系梳理15 图表32：砷化镓器件代工比例变化（2013-2019 年）16 图表33：化合物半导体代工厂最新产能统计16 图表34：国内主要手机PA 厂商17 图表35：三安光电化合物半导体布局时间表18 图表36：三安集成制程介绍18 图表37：三安集成各类产品的产能规模及变化情况19 图表38：2018 年全球导电型碳化硅晶片市场占有率19 图表39：SiC 产业链示意图20 图表40 ：国内SiC 各环节与国际领先水平比较20 图表41 ：国际碳化硅晶片龙头企业提前锁定订单21 图表42 ：Cree 在碳化硅上的布局时间线21 图表43 ：Cree 与国内一线衬底厂商产品比较21 图表44 ：2019 年全球分立功率器件和模组企业市占率22 图表45 ：英飞凌CoolSiC MOSFET 650V 系列22 图表46 ：英飞凌提供完整的GaN 解决方案22 一、下游应用驱动，GaAs、GaN 和SiC 各领风骚 1.化合物半导体具有物理特性优势 化合物半导体物理特性具有独特优势。半导体材料领域共经历三个发展阶 段：第一阶段是以硅、锗为代表的 IV 族半导体；第二阶段是以GaAs 和 InP 为 代表的 III-V 族化合物半导体，其中 GaAs 技术发展成熟，主要用于通讯领域； 第三阶段主要是以 SiC、GaN 为代表的宽禁带半导体材料。硅材料技术成熟， 成本低，但是物理性质限制了其在光电子、高频高功率器件和耐高温器件上的 应用。相比硅材料，化合物半导体材料在电子迁移速率、临界击穿电场、导热 能力等特性上具有独特优势。