X电容放电回路设计分析.docxVIP

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X 电容放电回路设计分析 摘 要:本文介绍了 X 摘 要:本文介绍了 X 电容放电原理, 分别列举了 RC 、 CAPZero 系列放电 CAPZero 系列放电 IC 、FSB 系列功率开关 IC 为核心的三种 放电回路设计方案,并分析了各方案的优缺点,为电子产品 放电回路设计方案,并分析了各方案的优缺点, 为电子产品 的安规设计提供参考。 关键词: X 电容; GB 4943.1-2011 ;时间常数;待机功 率;RC放电、放电IC、功率开关IC 中图分类号: 中图分类 号: TN41 文献标识码: A 1 引言 X 电容全称抑制电源电磁干扰用电容器,一般安装在电 源初级整流模块之前,主要用于相间跨线、 EMI 滤波(降低 差模干扰)等,在手机充电器、 ATX 电源等常见电子设备都 有广泛运用。在实际电路中, X 电容规格一般不低于 uF 级, 电容内贮藏有大量电荷。 设备在脱离电网连接后,因 电容内贮藏有大量电荷。 设备在脱离电网连接后, 因 X 电容 跨接相线使得插头极间带有高压,倘若人体意外触及电源插 头,即形成放电回路,存在电击危险。针对插头带电危险, 头,即形成放电回路,存在电击危险。 针对插头带电危险, GB 4943.1-2011 GB 4943.1-2011 第 2.1.1.7 条规定, A 型可插式设备(例如电 源适配器等)放电时间常数不得超过1s 源适配器等)放电时间常数不得超过 1s,放电1s后电容器 残余电压不得超过初始值的 37%。 2 设计分析 列举三种放电回路设计方案如下,典型运用电路如图 所示。S 闭合时相当于设备与电网连接; 所示。 S 闭合时相当于设备与电网连接; S 断开相当于设备 与电网断开。 方案一: 当前普遍采用的是 RC 放电方式。 原理介绍:根据基尔霍夫电压定律,RC 电路方程为:初值条件 原理介绍:根据基尔霍夫电压定律, RC 电路方程为: 初值条件 Uc(0+)=Uc (0_) =Uin ),解得 RC 乘值统称为时间常数。 上式中取 RC=1 , t=1 (s),即得放电1s时刻Uc=Uin?e-1 ?37%Uin。一般来说,当时间常数小于1 (例如C取0.47uF, R取2M Q ,时间常数为0.94), X电容放电1s后的残余电压 般不超过初始值的 37%,满足 GB 4943.1-2011 要求。 优缺点分析: 优点 1:电路设计容易, 仅需泄放电阻 R 与 X 电容 C 并 联即构成放电回路;优点 2:参数计算简单,理论残余电压 和时间常数可根据上式换算得到;缺点 1:消耗额外功率, 泄放电阻 R 在设备连接电网后不断消耗功率 (该消耗功率占 待机功率的绝大部分) ,消耗功率。缺点 2:当提高 X 电容 规格以获取更优 EMI 滤波效果时,因时间常数不得大于 1, 必须减小泄放电阻 R的阻值。由于,无形中加大了消耗功率。 方案二: Power Integrations 公司在 2010 年推出了 CAPZero 系列 放电 IC ,该类型放电 IC 不仅能配合泄放电阻构成放电回路, 还可以有效降低泄放电阻的消耗功率。 原理介绍:该类型放电 IC 内部集成有电压检测器和 MOSFET 驱动,能够检测比较 IC 两端电压,根据电压变化 驱动片内 MOSFET 导通和截止,使得放电 IC 具备断电检测 和电子开关功能。当 S 闭合后,放电 IC 检测到上电,片内 MOSFET 截止, AB 点开路,泄放电阻 R1 和 R2 无电流经过, 无消耗功率;当S断开后,放电IC检测到断电,片内MOSFET 导通,AB点短路,泄放电阻 R1和R2、放电IC、X电容C 构成放电回路。 优缺点分析: 优点 1:时间常数等参数计算简单,等同于方案一;优 点 2:仅当设备与电网断开后,泄放电阻才消耗功率( X 电 容电荷),降低了设备的待机功率;优点 3:在提高 EMI 滤 波效果且不影响待机功率的前提下, X 电容规格的选择更加 自由;缺点 1 :放电 IC 内部的镜像 MOSFET 偏置要求必须 有2个泄放电阻(R1和R2)串联使用,增加了线路布局复 杂性;缺点 2:一旦放电 IC 故障导致 AB 点持续开路,放电 功能失效。对此,国际电工委员会 IEC 在 2013 年提出了 DSH1080 号 CTL 决议, 要求对该类型放电 IC 进行复杂的试 验考核。 方案三: Fairchild Semiconductor 公司在 2013 年推出了 FSB 系列 功率开关IC,该类型功率开关IC在继承了方案二放电IC常 态无消耗功率和 X 电容选择灵活的前提下,将放电 IC 的功 能固化于自身电路中, 去除了放电 IC ,进行了较大程度的改 良。 原理介绍:该类型功率开关

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