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第六章单组元相图及纯晶体凝固 * 纯晶体凝固时的生长形态 粗糙界面：可近似保持平面 粗糙界面 第六章单组元相图及纯晶体凝固 * 纯晶体凝固时的生长形态 ②在负的温度梯度下生长的界面形态：树枝状生长 一次晶轴、二次晶轴→树枝晶（枝晶） 晶体生长界面与Tm等温线 树枝生长示意图 宏观与微观界面构造结合： (1)微观粗糙界面，以树枝方式生长。 (2)微观平滑界面，有树枝状生长的倾向，但不明显。 钢中的树枝状生长 Fig. 1　SEM photographs showing the systematics for the DAP concentration-dependent hierarchical growths. Highly oriented primary ZnO rods are shown in (a); (b-i) secondary needlelike crystalline branches formed by adding DAP 17.5 mM (b), 35.0 mM (c), 52.5 mM (d), 70.0 mM (e), 87.5 mM (f),105.0 mM (g), 122.5 mM (h), and 140.0 mM (i). Each inset shows the corresponding low-magnification SEM survey photograph for that sample. Fig. 2 SEM photographs showing the time-dependent micropro the secondary growth in the system of 87.5 mM DAP. (a) 0.5 h; (b) 1.0 h; (c) 2.0 h; (d) 4 h; (e) 6 h; (f) 24 h. Each inset shows the corresponding low-magnification SEM survey photograph for that sample. Fig. 3　Morphological evolution of sample IV monitored by XRD and SEM: (a) Schematic illustration of the formation of sample IV; (b) XRD patterns of samples I, II, and IV; (c) SEM photos of sample I; (d) SEM photos of sample II; (e) SEM photo (top view) of sample IV; (f) SEM photo (side view) of sample IV. Each inset shows the corresponding low magnification SEM survey photograph for that sample. 第六章单组元相图及纯晶体凝固 * ①具有粗糙界面的金属，其长大机理为垂直长大，长大速度快，所需过冷度小； ②具有光滑界面的金属化合物、亚金属或非金属等，其长大机理可能有两种方式，其一为二维晶核长大，其二为螺型位错长大，长大速度很慢，所需过冷度较大； ③晶体成长的界面形态与界面前沿的温度梯度和界面的微观结构有关。 晶体长大小结 第六章单组元相图及纯晶体凝固 * 八、凝固理论的应用举例 1、凝固后的晶粒大小控制 1）控制过冷度 ΔT↑→ ↑ 冷却速度↑→ΔT↑ 2）变质处理 在浇注前往液态金属中加入形核剂（变质 剂），促进形成大量的非均匀晶核来细化晶粒。 3）振动、搅拌 ①依靠从外面输入能量促使晶核提前形成； ②使成长中的枝晶破碎，使晶核数目增加。 第六章单组元相图及纯晶体凝固 * 凝固后的晶粒大小控制 电磁振动台 1-铸型；2-平台；3-电枢； 4-铁芯 振动浇注装置 1-浇包；2-浇杯；3-铸型；4-振动器；5-支架 第六章单组元相图及纯晶体凝固 * 凝固理论的应用举例 2、定向凝固 1）概念：使铸件全部沿同一方向生长，由此产生有相同取向的柱状、片层状及棒状所构成的单相或双相纤维状组织，它的纵向性能明显高于横向性能。 应用：高温涡轮机叶片 第六章单组元相图及纯晶体凝固 * 3、单晶制取—电子元件和激光元件的重要原料 单晶可用下列两种方法制取： 1）尖端形核法制取单晶 2）垂直提拉法制取单晶 凝固理论的应用举例 第六章单组元相图及纯晶体凝固 * 凝固理论的应用举例 4、非晶态金属的制备 快速凝固技术 第六章单组元相图及纯晶体凝固 * 讨论内容：