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南昌大学本科生毕业设计 (论文) 书写式样 南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样 一、页面设置：上 2.54cm,下 2.54cm,左 3.67cm,右 2.67cm，行间距 1.35 倍。 二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。 三、摘要 1． 中文摘要 标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五 号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字 小四号宋体加粗， 2 ．英文摘要 标题小二号 Times New Roman 体加粗，“Abstract ” 四号 Times New Roman 体； “Abstract ” 内容小四号 Times New Roman 体，“Keyword ”小四号 Times New Roman 体加粗。 四、正文 标题四号宋体，正文内容小四号宋体。 五、图表 图表内容五号宋体。 六、参考文献 参考文献四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文 用小四号 Times New Roman 体。 七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。 具体书写式样如下 1、目录式样 （内容小四号宋体） 目 录 （小三号宋体） 摘要　……………………………………………………………………………　Ⅰ Abstract ………………………………………………………………………… Ⅱ 第一章 GaN 基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）…………… 1 1 .1 III 族氮化物材料及其器件的进展与应用 …………………………… 1 1. 2 III 族氮化物的基本结构和性质 ………………………………………… 4 1. 3 掺杂和杂质特性 ………………………………………………………… 12 1. 4 氮化物材料的制备 …………………………………………………… 13 1. 5 氮化物器件 ……………………………………………………………… 19 1. 6 GaN 基材料与其它材料的比较 ………………………………………… 22 - 13 - 1. 7 本论文工作的内容与安排 ……………………………………………… 24 第二章 氮化物 MOCVD 生长系统和生长工艺 ………………………………… 31 2. 1 MOCVD 材料生长机理 ………………………………………………… 31 2. 2 本论文氮化物生长所用的 MOCVD 设备 …………………………………32 ………… 结论 ……………………………………………………………………………… 136 参考文献（References ）…………………………………………………………… 138 致谢 ……………………………………………………………………………… 150 2、摘要式样 （1）中文摘要式样（内容小四号宋体） III- Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光 LED 外延片的 MOCVD 生长和性质研究 （小二号宋 体） 专 业 学 号 学生姓名 指 导教师：（五号宋体） 摘 要 （四号宋体） 宽禁带 III －Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光 器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自 1994 年日本