半导体物理与器件-第八章 PN结二极管.pptVIP

8.2 PN结的小信号模型 扩散电导： 扩散电容： Ip0为空穴扩散电流的直流成分 In0为电子扩散电流的直流成分 * 8.2 PN结的小信号模型 8.2.3等效电路 扩散电阻 扩散电容 势垒电容 电中性的p区与n区内的阻值rs * 8.2 PN结的小信号模型 8.2.3等效电路 * 8.3产生复合电流 8.3.1反偏产生电流 空间电荷区内： * 在推导理想的电流-电压关系时，忽略了空间电荷区内的一切效应，但由于空间电荷区内其他电流成分，实际pn结的I-V 特性会偏离其理想表达式。 P214例8.7 8.3产生复合电流 8.3.2正偏复合电流 正偏复合电流： n区注入p区的电子和从p区注入n区的空穴在势垒区内复合了一部分，形成复合电流。 * 8.3产生复合电流 8.3.3总正偏电流 总正偏电流 * 第八章 PN结二极管 第八章PN结二极管 8.1 PN结电流 8.2 PN结的小信号模型 8.3 产生、复合电流 8.4 结击穿 8.6 隧道二极管 * 本章主要学习PN结在外加正向偏置电压条件下，PN结的电流---电压特性。 8.1 PN结电流　　　8.1.1定性描述 * 图8.1(a)零偏；(b)反偏；(c)正偏条件下的pn结及其对应的能带图 加偏压后，势垒区两侧边界处载流子分布仍服从玻尔兹曼分布。 注意费米能级的变化！ 8.1 pn结电流　理想电流电压关系 * 8.1 pn结电流　理想电流电压关系 理想假设 1、耗尽层突变近似:空间电荷区的边界存在突变，且耗尽区以外的半导体区域是电中性的。 2、载流子统计分布符合麦克斯韦-玻尔兹曼近似。 3、复合小注入条件。 4(a) PN结内的电流值处处相等。 (b) PN结内的电子电流与空穴电流分别为连续函数。 (c) 耗尽区内的电子电流与空穴电流为恒定值。 * 8.1 PN结电流　 8.1.2理想电流电压关系 计算流过PN结电流密度的步骤： 1、根据费米能级计算耗尽区边界处注入的过剩少子浓度。 2、以边界处注入的过剩少子浓度作为边界条件，求解扩散区中载流子连续性方程——双极输运方程。得到过剩载流子分布表达式。 3、将过剩少子浓度分布带入扩散电流方程得到扩散电流密度。 4、将两种载流子扩散电流密度相加，得到理想PN结电流电压方程。 * 8.1 PN结电流　8.1.2理想电流电压关系 1、边界条件 * 边界条件的确定 p区内： p区内少子电子浓度： n区内少子空穴浓度： * p区内少子电子浓度： n区内少子空穴浓度： p区内少子电子浓度： n区内少子空穴浓度： p区内少子电子浓度： n区内少子空穴浓度： 8.1 PN结电流　理想电流电压关系 * PN结加正向偏置电压时，结两侧边缘处的过剩载流子比平衡时增加几个数量级； PN结加反向偏置电压时，结两侧边缘处少子浓度低于热平衡值。 8.1 PN结电流　8.1.4少数载流子的分布 2、少数载流子分布——解双极输运方程 小注入n型半导体双极输运方程： 当xxn时， E=0，且令g′=0，PN结处于稳态。 * 8.1 PN结电流　 8.1.4少数载流子的分布 * 8.1 PN结电流　8.1.5 理想PN结电流 3、理想PN结电流 (a)xn处少子空穴扩散电流密度： (b)-xp处少子电子扩散电流密度： * 8.1 PN结电流　 8.1.5 理想PN结电流 理想关系 Js称为反向饱和电流密度 * 8.1 pn结电流　8.1.6物理学小结 物理学小结 * 8.1 PN结电流　8.1.7温度特性 温度特性 理想反向饱和电流密度： 温度升高，反向饱和电流密度增大。 正偏电流电压关系式： 温度升高，二极管电流密度也会增大，但不如反向饱和电流增大的那么明显。 * P203例8.5 短二极管n区稳态过剩少子空穴： 边界条件： 少子浓度：当WnLp 少子扩散电流密度： 8.1 PN结电流 8.1.8短二极管 * 短二极管的扩散电流密度要远大于长二极管的扩散电流密度。 8.2 PN结的小信号模型 8.2.1扩散电阻(增量电导) 直流静态电流。 扩散电阻：随偏置电流的增加而减小。 * ID为二极管电流，IS为二极管反向饱和电流 正弦电流与电压的比值称为增量电导： 增量电导的倒数称为增量电阻： 8.2 PN结的小信号模型 8.2.2小信号导纳——扩散电容（正偏） * n区内空穴与p区内电子的充、放电过程产生了电容，该电容称为扩散电容。 pn结导纳为总交流电流相量与交流电压相量的比值(P209式8.65)。