半导体物理与器件-第三章 固体量子理论初步.pptVIP

3.2 固体中电的传导 3.2.5 金属、绝缘体和半导体 不同固体有不同的能带结构，满带电子不导电，半满带电子在外场下参与导电。 能带全空或全满的材料即绝缘体，绝缘体的禁带宽度一般大于6eV,以至于很难让价带中的电子跃迁到导带。 半导体的禁带宽度较小，一般约为1ev在Ｔ=0K时的性质与绝缘体相似，室温下，有一部分价带电子跃迁到导带。 瓶子中的水 3.2.5 金属、绝缘体和半导体 3.2 固体中电的传导 金属 金属的禁带较窄，或导带与价带在平衡状态的原子间距处相 互重叠。 半满带 允带交叠 3.3 三维扩展 不同晶向的电子的有效质量不同，导致导电性不同。 在晶体中的不同方向上原子的间距不同，电了在不同方向上运动会遇到不同的势场，因此E-k关系就是k空间方向上的函数。 3.3 三维扩展 3.3.1 硅和砷化镓的k空间能带图 GaAs,导带中的电子倾向于停留在能量最小的k=0处，价带中的空穴倾向于聚集在能量最大处。 直接带隙半导体：导带最小能量与价带最大能量具有相同的k坐标。 应用：直接带隙半导体中两个允带之间的电子的跃迁不会对动量产生影响，这种半导体对材料的光学特性产生重要影响，适用于制造半导体激光器和其他光学器件。 3.3 三维扩展 3.3.1硅和砷化镓的k空间能带图 硅的价带最大能量在k=0处，但导带最小能量中[100]方向上。 间接带隙半导体：价带能量最在值和导带能量最小值的k坐标不同的半导体。 间接带隙半导体：Si ,Ge, GaP, AlAs. 第三章 固体量子理论初步 第三章 固体量子理论初步 允带与禁带 3.1 固体中电的传导 3.2 三维扩展 3.3 状态密度函数 3.4 统计力学 3.5 小结 3.6 3.1 允带与禁带 原子的能级（孤立原子中电子的状态—能级） 电子壳层K L M N …… 不同支壳层电子 1s；2s，2p；3s，2p，3d；… 共有化运动 3.1 允带与禁带 3.1 允带与禁带 １．电子的共有化运动 　　原子中的电子分布在内外许多电子壳层上，每一支壳层对应确定的能量，当原子间互相接近形成晶体时，不同原子的内外各电子层之间有一定的交叠，相邻原子最外壳层交叠最最多，内壳层交叠较少; 当原子组成晶体后，由于电子壳层间的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，它可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动． 3.1 允带与禁带 3.1 允带与禁带 原子的能级的分裂 孤立原子的能级 4个原子能级的分裂 原子的能级的分裂 原子能级分裂为能带 3.1 允带与禁带 3.1.1 能带的形成——晶体由原子组成相互靠拢形成——孤立能级展宽成为能带 当大量氢原子聚在一起,当原子间距的缩小到r0(晶体中平衡状态的原子间距),由泡利不相容原理,任何两个电子不会具有相同的量子数,因此,一个能级分裂为一个能带，以保证每个电子占据独立的量子态. 能级分裂 两个近距离氢原子的概率密度函数 独立氢原子的概率密度函数 r0 平衡时的距离 3.1 允带与禁带 3.1.1 能带的形成 注意：在平衡状态原子间距处，存在能量的允带，而允带中的能量仍然是分立的，在晶体中，允带中分立的能量状态数与晶体中的原子数相等，由于各能量状态差距是极小的，通常认为允带处于准连续的能量分布。 电子能带结构由它们所在势场决定，因而与给成晶体的原子结构和晶体结构有关，与晶体中的原子数无关；当晶体中原子数增加时，只增加每个能带中的电子态数，使能带中子能级的密集程度增加，对能带结构，如允带和禁带的带度及相对位置并无影响。 长跑比赛 3.1 允带与禁带 3.1.1 能带的形成 对于多电子原子形成晶体,当原子间距为r0时,各不同 能级分裂形成不同的能带,彼此间被禁带隔开。 最外层电子的能级首先转化为能带,内层相对晚一些。 外层先分裂 允带和禁带 3.1 允带与禁带 3.1.1 能带的形成 实际晶体中能带的分裂（以硅晶体为例）： 1.随原子间距的减小，3s和3p态互相作用发生交叠。 2.在平衡状态原子间距位置产生能带分裂，其中四个量子态处于较低能带，另 外四个量子态处于较高能带。 3.较底能带（价带）的所有状态都是满的，较高能带（导带）的所有状态都是 空的。 4.价带顶和导带低之间的带隙能量Eg为禁带宽度。 独立硅原子的示意图， 3s和3p态分裂为允带和禁带 允带 禁带 能带的基本概念 能带（energy band）包括允带和禁带。 允带（allowed band）：允许电子能量存在的能量范围。 禁带（forbidden band）：不允许电子存在的能量范围。 允带又分为空带、满带、导带、价带。 空带（