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半导体物理与器件课程授课计划
一、课程内容简介与教学目的
(一)课程内容的简单介绍和描述
本课程是集成电路专业的重要选修课之一。本课程较全面地论述了半导体的一些基本物理概念、现象、物理过程及其规律,并在此基础上选择目前集成电路与系统的核心组成部分,如双极型晶体管(BJT)、金属-半导体场效应晶体管(MESFET)和MOS场效应晶体管(MOSFET)等,作为分析讨论的主要对象来介绍半导体器件基础。
(二)课程目标和教学目的说明
学习和掌握这些半导体物理和半导体器件的基本理论和分析方法,为学习诸如《集成电路工艺》、《集成电路设计》等后续课程打下基础,也为将来从事微电子学的研究以及现代VLSI与系统设计和制造工作打下坚实的理论基础。
二、课程要求及教学活动项目
(一)课程要求:
本课程要求学生掌握半导体物理和半导体器件的基本概念和基本规律,对于基础理论,要求应用简单的模型定性说明,并能作简单的数学处理。学习过程中,注意提高分析和解决实际问题的能力,并重视理论与实践的结合。本课程涉及的物理概念和基本原理较多,为了加深对它们的理解,在各章节里都给学生留有一些习题或思考题,这些题目有的还是基本内容的补充。也有少量的难度较大的题目,这样的问题有利于扩大知识面和培养独立思考能力。最后通过课程考试;要求学生准时到堂听课、上课认真学习并积极发言、课后按时完成作业;要求学生保持学术诚信,自主完成课后作业。
(二)教学活动项目及学时分配:
本课程教学活动主要包括课堂讲授、课内练习及课后作业几个部分。课堂讲授约占60学时,课内练习和讨论约占4学时,辅导答移在课后或与学生单独约时间。
三、成绩考核
本门课的成绩考核采用闭卷考试成绩与平时成绩综合评定的办法,最终成绩以百分制给出,最终成绩的构成及权重如下:
(一)平时成绩:包括课作业和实验两部分,分别以百分制给出。平时成绩计算方法如下:
平时成绩 = 作业成绩×50% + 课堂表现×50%
(二)期末考试成绩: 闭卷考试。
(三)最终成绩组成说明: 最终成绩 = 期末考试成绩×70% + 平时成绩×30%。
四、教材及参考资料
D. A. Neamen,《Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles》,清华出版社,2003
R. T. Pierret著,黄如等译,《半导体器件基础》,电子工业出版社,2004
刘恩科、朱秉升、罗晋生等,《半导体物理学》,西安交通大学出版社,2004
黄昆、谢希德,《半导体物理学》,科学出版社,1958
曾谨言,《量子力学》,科学出版社,1981
谢希德、方俊鑫,《固体物理学》,上海科学技术出版社,1961
五、教师联系方式及答疑要求
联系电话邮箱:ise_zmli@ujn.edu.cn
答疑时间及地点:每节课课后或与学生预约
六、课程教学计划安排及策略
第1周
学时:4
授课内容:
绪论
第一章 固体晶格结构
第一节:半导体材料
第二节:固体类型
第三节:空间晶格
第四节:原子价键
第五节:固体中的缺陷与杂质
第六节:半导体材料的生长
目的要求
1、了解半导体材料的特性, 掌握固体的基本结构类型;
2、掌握描述空间晶格的物理参量, 了解原子价键类型;
3、了解固体中缺陷与杂质的类型;
4、了解半导体材料的生长过程。
授课方式:CAI课件授课及课内练习
其它说明:作业:1.1,1.5(b),1.16(c)
第2周
学时:4
授课内容:
第二章 量子力学初步
第一节: 量子力学的基本原理
第二节: 薛定谔波动方程
第三节: 薛定谔波动方程的应用
第四节: 原子波动理论的延伸
目的要求:
1、掌握量子力学的基本原理,掌握波动方程及波函数的意义;
2、掌握薛定谔波动方程在自由电子、无限深势阱、阶跃势函数、矩形势垒中应用;
3、了解波动理论处理单电子原子模型。
授课方式:CAI课件授课及课内练习
其它说明:作业:2.6(a),(c),(d);2.9,2.31
第3周
学时:4
授课内容:
第三章 固体量子理论初步
第一节:允带与禁带格
第二节:固体中电的传导
第三节:三维扩展
第四节:状态密度函数
第五节:统计力学
目的要求:
1、掌握能带结构的基本特点,掌握固体中电的传导过程;
2、掌握能带结构的三维扩展,掌握电子的态密度分布;
3、掌握费密-狄拉克分布和玻耳兹曼分布。
授课方式:CAI课件授课及课内练习
其它说明:作业: 复习题:3,4;3.12,3.13,3.19
第4周
学时:4
授课内容:
第四章 平衡半导体
第一节:半导体中的载流子
第二节:掺杂原子与能级
第三节:非本征半导体
第四节:施主与受主的统计学分布
目的要求:
1、掌握本征载流字电子和空穴的
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