半导体物理与器件-绪论.pptVIP

* * 半导体物理及器件 《半导体物理与器件》，[美] Donald A. Neamen著， 电子工业出版社 《半导体物理学》， 刘恩科著，国防工业出版社 《半导体器件基础》，[美] Betty Lise Anderson著， 清华大学出版社 　 参考书 参考资料 是集成电路设计及微电子学的基础； 物理知识使用较多，用数学工具分析物理概念； 是如下课程集一身： 1、量子力学； 2、固体物理学； 3、半导体物理学； 4、半导体器件物理； 课 程 特 点 微电子学研究领域 半导体材料 半导体器件物理 集成电路工艺 集成电路设计和测试 微电子学发展的特点 向高集成度、低功耗、高性能高可靠性电路方向发展 与其它学科互相渗透，形成新的学科领域： 光电集成 MEMS 生物芯片 微电子学研究领域及其发展特点 重要的专业基础课，内容广，概念多 了解基础理论，物理概念和主要性质。 探讨半导体在热平衡态和非平衡态下所发生的物理过程、规律以及相关应用。 为从事光电子技术、半导体器件、传感器及应用、集成电路等方面的工作打下必备的基础。 讨论VLSI技术相关的半导体材料和器件中的基本物理问题，在基础物理和微电子专业技术之间建立桥梁。 特课程特点 半导体物理在微电子学科中的位置 学 习 要 求 1、重视基本概念的理解； 2、物理过程及工作原理的理解，联系定量推导； 3、从做题中巩固、理解物理意义。 课程安排及上课时间 课程性质：专业考试课。 学时安排：总学时64学时，1-16周。 考核方法：考试成绩70%+平时成绩30%（其中平时成绩包括作业和考勤） 上课时间： 周 三 5~6节(14:00~17:40)----10J315 周 四 1~2节( 8:00~9:40 )------10J313 绪 论 半导体和集成电路 绪论 半导体和集成电路 一、半导体器件的发展历史 1.1874年, Braun,发现金属—半导体接触时的电流 传导非对称性； 2.1907年,Piere发现了二极管的整流特性; 3.1935年硒整流器和硅点接触二极管用作收音机的 检波器,1942年,Bethe提出热离子发射理论; 4.1947年,贝尔实验室的肖克莱、巴丁、布拉坦，第 一个晶体管。 1947年第一个点接触型锗晶体管 第一只晶体管的发明者及1956年诺贝尔物理学奖获得者 肖克莱( William Shockley) 1910—1989 巴丁(JohnBardeen) 1908—1991 布拉坦(Walter Brattain) 1902—1987 肖克莱：1910年2月生于英国，主要研究固体物理，提出著名P－N结理论。 巴 丁：?1908年5月生于美国，是贝尔研究所所长。?布拉坦： 1902年2月生于中国，实验物理学家。 第一只晶体管的发明者及1956年诺贝尔物理学奖获得者 实验中的肖克莱、巴丁、布拉坦 肖克莱专长于理论研究，巴丁是运用基础理论解决实际问题的大师，而布拉顿则是善于巧妙地进行各种实验的能手。 巴丁（巴顿），1972年和库珀、施里弗三人一起因发展超导理论而又一次获诺贝尔奖 ，史上唯一两次获得诺贝尔物理学奖。 1997 at Bell Laboratories 二、集成电路(IC)技术发展历史 1959年，第一个（混合）集成电路,得州仪器公司（Texas Tnstruments)的Jack Kilby（2000年诺贝尔物理奖）,由锗单晶制作--1个BJT、3个电阻、1个电容； 1959年，第一个单片集成电路, 仙童半导体公司（Fair Child）的Robert Noyce（2000年诺贝尔物理奖）,用平面技术在硅上实现了集成电路---6个器件的触发器； 20世纪60年代中期，MOS晶体管集成电路。 第一个（混合）集成电路（IC）及其发明者 杰克﹒基尔比（Jack Kilby）(1923年11月8日－2005年6月20日) 2000年获得诺贝尔奖。 /link?url=oXAXH_rFqTZWQ1fchpVOoXtMd8R3PkDdwQRe2PlgTz1iAne6s5cON03jDHXXmfQh 第一个单片集成电路及其发明者罗伯特﹒诺伊斯(Robert Noyce)1927年12月-1990年6月3 详细请查阅：/AMuseum/ic/index_02_07_05.html 1959年7月，基于硅平面工艺，发明了硅集成电路。 仙童半导体公司的创始人。 详细请查阅： /AMuseu