半导体工厂工程施工设计方案.docx

第19章半导体工厂施工组织设计 19.1工程槪况 19.1.1工程简介 本项目工程名称为X X半导体第2.5代TFT生产线新建工程。其中主厂房为三层结构，中间区 域为生产用洁净厂房，两侧为辅助区域，结构形式为框架结构。其他厂房还包括造排水栋、动力栋 和其他辅助建筑。 本项目工期要求为XX年X月X日具备工艺设备搬入条件。工作量大，工期紧且工作强度相对 较大，项目材料和设备要求较高，对项目承包商的能力和施工策划提出较商的要求。 XX半导体是XX国际控股的全资亍公司，成立于19XX年，在中国省注册，注册资金为XXXX 万美元。公司总部设在，生产基地位于中国省XX市。在国有70%的产品销售权。是一家知名的电 亍产品、半导体产品开发、生产和销售的上市公司。 TFT面板项目由xx半导体投资，投资总额约x亿美金。建厂费用占总投资额的14.5%,约人民 币x.x亿元。本项目产品为第2.5代TFT-LCD面板，由阵列和成盒两道工序组成，基板玻璃尺寸 为550毫米X650亳米，月投片量为xxK,主要产品为手机使用的彩色TFT显示屏。 本项目位干省xx布xx工业园区，北临xx路，南靠工业大道，用地面积为14万多in? a本 项目主要由生产主厂房、动力站、纯水站、大宗气体站、废水站、特殊药品仓库等组成。其中主厂 房洁净面积共一万两千平方米，洁净级别主要为十级、百级和千级。 19.1.2产品的工作原理及工艺流程： 产品工作原理 液晶显示屏是透过硅玻璃上的电路形成电场，来驱动玻璃与滤光片间的液晶分子，在自然状态 下呈并列平行排列，当电路对液晶层施加电场，液晶分亍会朝不同的方间偏转，这时液晶类似于开 关作用可以让光线通过，令液晶层形成不同的透光效果，从而达到显示不同画面的目的。 工艺流程： 阵列工艺流程:玻璃基板投入-基板清洗■栅极金属濺射柵极光刻-*n+ci-硅/ci-硅/氯化硅层 淀积-Q-硅光刻-ITO膜溅射-ITO膜光刻-*源/漏級金属溅射-源/漏级金属光刻—n+Q-硅反刻 一氮化硅淀积一绝缘层刻蚀一退火-检査 成盒工艺流程：投入阵列和滤光玻璃基板-*配向膜印刷-?椎胶图敷、垫料-*滴入液晶-直空贴 合-盒分割f貼偏光片-检查 19.1.3工程特点及主妥工程?： 工程特点：该工程机电系统复杂，净化厂房面积为1万二千平方米，净化级别分别为十级、 百级和千级，动力系统包括大宗气体、特种气体、工艺冷却水、工艺直空、化学品等项目，生产厂 房主体为框架结构，屋顶釆用大跨度钢星架结构。主体结构二层，一层为设备工艺系统、一般排风 和酸碱排风等，专业复杂，施工难度大。下夹层，主要由生产车间工艺下夹层和辅助用房组成，二 戾为工作层，主要由生产车间、办公室等管理用房组成。工程对抗微震的要求很髙。 该工程的主要工程量：本项目的主要建筑由生产主厂房、动力站房、纯水站房、废水处理厂 房、开关站及气体库房等组成。工程占地面积约14万多平方米，总建筑面积约为5万多平方米。 本工程土建部分包括：结构、建筑和钢结构部分组成。 机电部分包括：洁净室装、洁净室空调系统、工艺排风系统、冷冻水系统、热水锅炉系统、 工艺冷却水系统、纯水系统、废水系统、压缩空气系统、氮气系统、氧气系统、特气系统、消防啧 淋和消火栓系统、低压变配电站、工艺设备配电、照明、弱电自控、火灾报警系统等。 洁净室装工程包括： 厂房火灾危险性为丙类，防火等级为2级，抗振烈度为7级。 生产厂房隔埼：(彩色金属夹心板)17000平米； 生产厂房吊顶：(彩色金属夹心板)12000平米； 环氧地面：14000平米； 架空活动防静电地板：12000平米； 架空地板用工字钢(规格***X**X*X**t): 42000米； 各种风淋室：15个； 电气工程包括： 各神电压等级变压器：9台(25000KVA,其中UPS: 5000KVA); 各种配电柜：156台； 各类灯具：7300套； 各种电气桥架：15000米； 各种电线、电缆：共543000米； 机械工程包括： 厂房的新风设计总风量为150000CHM,由四台(三用一备)新风机组集中供给； 自循环风机(DCFU): 108台； 高效过滤风机单元(FFU): 302。台； 一般排气系统设计排风量60000CHM,由四台(三用一备)离心式排风机； 燃油蒸汽斜炉：3台； 水源热泵：2台； 离心式冷冻机：4台； 各种水泵：65台(不含纯水、排风、废水、药液等非我公司围)； 各种管道：187600米； 镀锌铁皮：4800平米； 钢结构工程及土建工程： 钢屋面总计：3921T; 混凝土： 10255立米； ?钢筋：2103T 19.1.4建设要求： 本项目采用总承包的模式，就是通常所说的交钥匙承包方式。业主将本项目的设计、采购、施 工、测试、设施以及向业主移交的整个过程委托施工总承包方来完成