金谷气体半导体常见气体用途.docVIP

SunSource? 解决方案：提供光伏生产所需要的气体、化学品、设施和现场运行服务以及项目管理服务 金谷气体 -半导体常有气体的用途 半导体工业常用的高纯气 1、硅烷（ SiH4）：有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、经过气相淀积制作二氧化硅薄 膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔绝层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。 2、锗烷（ GeH4）：剧毒。金属锗是一种优秀的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各样不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。 3、磷烷（ PH3）：剧毒。主要用于硅烷外延的混杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延 GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体 的 MOCVD 工艺、磷硅玻璃（ PSG）钝化膜制备等工艺中。 4、砷烷（ AsH3）：剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的 n 型混杂剂。 5、氢化锑（ SbH3）：剧毒。用作制造 n 型硅半导体时的气相混杂剂。 6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼混杂氧化 扩散的混杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。 7、三氟化硼（ BF3）：有毒，极强刺激性。主要用作 P 型混杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。 8、三氟化氮（ NF3）：毒性较强。主要用于化学气相淀积 （CVD ）装置的冲洗。三氟化氮能够独自或与其余气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，比如， NF3、NF3/Ar 、 NF3/He 用于硅化合物 MoSi2 的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl 既用于 MoSi2 的蚀刻，也用于 NbSi2 的蚀刻。 9、三氟化磷（ PF3）：毒性极强。作为气态磷离子注入源。 10、四氟化硅（ SiF4）：遇水生成腐化性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅 Si3N4）和硅化钽（ TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管 P 型混杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。 11、五氟化磷（ PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。 12、四氟化碳（ CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。 13、六氟乙烷（ C2H6）：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。 14、全氟丙烷（ C3F8）：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。半导体工业常用的混淆气体 1、外延（生长）混淆气：在半导体工业中，在认真选择的衬底上采用化学气相 淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅（）、四氯化硅（）和硅烷等。主要 用于外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其余光感觉器的非晶硅膜淀积等。外延是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用外延混淆气组成如下表： 序号组份气体稀释气体氦、氩、氢、氮 1 硅烷（ SiH4）氯硅烷（ SiCl4） 二氯二氢硅（ SiH2Cl2） 2 乙硅烷（ Si2H6） 3 4 氦、氩、氢、氮氦、氩、氢、氮氦、氩、氢、氮 2、化学气相淀积（ CVD ）用混淆气： CVD 是利用挥发性化合物，经过气相化学反响淀积某种单质和化合物的一种方法，即应用气相化学反响的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的化学气相 淀积（ CVD ）气体也不同，以下表是几类化学气相淀积混淆气的组成：膜的种类 混淆气组成 生成方法 半导体膜硅烷（ SiH4）+氢 CVD 二氯二氢硅（ SiH2Cl2） +氢氯硅烷（ SiCl4）+氢 CVDCVD 离子注入 CVDCVDCVD CVD 离子注入 CVD 硅烷（ SiH4） +甲烷（ CH4）硅烷（ SiH4）+氧 绝缘膜硅烷（ SiH4） +氧 +磷烷（ PH3） 硅烷（ SiH4） +氧 +乙硼烷（ B2H6）硅烷（ SiH4 ）+氧化亚氮（ N2O）+磷烷导体膜 六氟化钨（ WF6）+氢六氯化钼（ MoCl6 ） +氢 CVDCVD3 、混杂混淆气：在半导体器件和集成电路制造中，将某些杂质掺入半导体材料内，使材料具有所需要的导电种类和一定的电阻率，以制造电阻、 PN 结、埋层等。混杂工艺所用的气体称为混杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。往常将混杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混淆，混淆后气流连续注入扩散炉内并围绕晶片四周，在晶片表面沉积上混杂 剂，进而与硅反响生成混杂金属而徙动进入硅。常用混杂混淆气：备种类组份气稀释气 注 硼化合物 乙硼烷（ B2H6）、三氯化硼（ BCl3 ）、溴化硼（ BBr3 ） 磷烷（ PH3）、氯化磷（ PCl3）