晶体硅太阳能电池.docxVIP

精选文档 精选文档 PAGE PAGE5 精选文档 PAGE 适用标准文案 硅太阳能电池简介 张振 材科1202班 纲要：本文主要介绍太阳能电池的技术发显现状和太阳能电池的应用 ,论述了单晶硅太阳能 电池、多晶硅太阳能电池、硅薄膜太阳电池以及纳米晶 TiO2太阳能电池技术的发展远景。 要点词：单晶硅、多晶硅、非晶硅、太阳能电池 前言 太阳能电池拥有很多其余发电方式所不具备的长处:不用耗燃料,不受地区限制,规模可灵巧组合,无污染、无噪音,安全靠谱,保护简单,建设周期短,最拥有大规模应用的可能性。世界各国政府为鼎力发展太阳能家产,采纳了各样政策和举措,如欧盟制定了“百万屋顶太阳能计划”,德国制定了“十万屋顶 太阳能计划”,日本推出了“新阳 光计划”,美国加州推出了“百万 太阳能屋顶法案”。我国在 2009 3月,财政部、住宅和城乡建设部结合公布了《对于加速推动太阳能光电建筑应用的实行建议》与《太阳能光电建筑应用财政补 助资本管理暂行方法》,对切合条 件的太阳能光电建筑应用示范项 目赐予相应的补助。2002—2008 年世界各国太阳能装机容量逐年 [1] 递加,如图1所示。 2009年,欧洲太阳能光伏安 4.75GW,占全世界需求量的74%, 此中德国、意大利和捷克的装机总量达4.07GW;美国装机总量增添了36%,达到385MW;日本提高 109%。2009年世界各国太阳能电池安装量据有率如图2所示。 太阳能电池是经过光电效应 或光化学效应直接把光能转变为 电能的装置。当前太阳能电池主 要有晶体硅型和薄膜型 2大种类。 硅是最理想的太阳能电池资料， 作为太阳能电池资料切合作为太 阳能电池资料的一般要求： 1、半导体资料的禁带不可以太宽； 2、要有较高的光电变换效率； 3、资料自己对环境不造成污染； 出色文档 适用标准文案 4、资料便于工业化生产且资料性能稳固。 硅太阳能电池的发展历程 早在1839年，法国科学家贝克雷尔(Becqurel)就发现，光照能使半导体资料的不一样部位之间产生电位差。这类现象以后被称为“光生伏殊效应”，简称“光伏效应”。1876年，在固态硒(Se)的系统中也察看到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。1883年，Frits描绘了第一个用硒制造的光生伏特电池。相关硅光电池的报导出现于1941年。1941 年，Ohl提出了硅p—n结光伏器件，在此基础上，美国贝尔实验室 Chapin等人于1954 年制出了第一个适用的硅扩散 p-n结太阳电池，并很快将光电变换效率提高到 10%，现代 硅太阳电池时代此后开始日。硅太阳能电池于1958年第一在人造卫星上得以应用，此后开始了研究、利用太阳能发电的新阶段。这是硅太阳电池发展的第一个期间。 第二个期间开始于70年月初，在这个期间对太阳电池资料、结构和工艺进行了宽泛的研究，这个期间出现了好多新式的电池，并且引入了很多新技术，详细有以下一些： 1．背表面电场(BSF)电池——在电池的反面接触区引入同型重混杂区，因为改进了接触区邻近的采集性能而使得电池的短路电流增添；背场的作用是能够降低饱和电流，进而达到改良开路电压，提高电池效率的成效。 2．紫光电他——这类电池最初(1972)是为通信卫星开发的。因其浅结．2μm)、密栅(30／cm)、减反射(Ta205-短波透过好)的特色而获取高效率。浅结在一段时间里曾被以为是高效的要点技术之一而被宽泛采纳。 3．表面织构化电池——也称绒面电池，最早(1974)也是为通信卫星开发的，它能够经过减小电池表面的反射并能够提高光生载流子的采集。其AMO时电池效率η≥15％，AMI时η18％。这类技术以后被高效电他和工业化电池广泛采纳。 4．异质结太阳电池n1—n1——即采纳不一样的半导体资料在一同所形成的太阳电池，种类有SnO／Si，In203／Si，In203+Sn02／Si电池等。因为SnO、In203、In203+SnO等带隙宽，透光性好，制作电池工艺简单，曾惹起很多研究者的兴趣。因效率不高等问题，当前研 究者已不多，但Sn02、In203、In203+Sn02是很多薄膜电他的重要组成部分，能够用作采集电流和窗口资料用。 5．MIS电池阻——是肖特基(MS)电池的改型，即在金属和半导体之间加入1．5—厚的绝缘层，使MS电池中多子支配暗电流的状况获取克制，而变为暗电流由少子隧穿决 定，与pn结近似。 年月早期硅太阳电池进入迅速发展的第三个期间，这个期间的主要特色是把表面钝化技术、后办理提高载流子寿命、降低接触复合效率、改进陷光效应等引入到太阳能 电池的制造工艺中。以各样高效电池为代表，电池效率大幅提高，商业化成本进一步降低，应用也获取不停扩大。[2] 硅太阳能电池分类 晶体硅太阳能电池可分为单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池,是当前国际上