模拟电子技术场效应管第二讲绝缘栅型场效应管-文字教材.docVIP

第二讲 文字教材 第一章 常用电子元器件 第四节 场效应管 第二讲 绝缘栅型场效应管 一、 增强型场效应管 1、结构和符号 图1 增强型MOS管结构及符号图 (a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号 特点:输入电阻高达Ω，而结型场效应管输入电阻达Ω． 2、工作原理 （1）工作条件： 图2 N沟道增强型MOS管加栅源电压UGS（a）UGS=0，（b）UGS0 ①在时，漏极与源极间没有原始的导电沟道，． ②当0时，栅极与衬底间产生电场，它排斥P型衬底中的空穴而吸引P型衬底中的电子到表面层．当增大，使得P型衬底和绝缘层交界面附近积累较多的电子，形成反型层 反型层使栅极与源极间成为一条由电子构成的导电沟道．当加上漏源电压后，就会有电流流过沟道． 通常把刚刚出现漏极电流时对应的栅源电压称为开启电压． ③当时，增大→电场增强→沟道加宽→增大；反之， 减小→减小． （2）放大作用：时才能控制ID，实现放大作用。 二、 耗尽型场效应管 1、结构和符号：制造过程中在绝缘层加电离子 图3 N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构 2、工作原理 （1）工作条件： ①当UGS=0时，已存在导电沟道，IDSS（起始电流）有电流存在。 ②在， 其产生的外电场加强正离子电场的作用→沟道加宽→↑． 电荷产生有两种： 原渗杂的正电荷。 感应产生的正电荷。 ③在时， 其产生的外电场削弱正离子电场的作用→沟道变窄→↓． 当负到一定数值时，导电沟道会被反向电场所消除而夹断，．此 时的栅源电压称为夹断电压． （2）放大作用：通过调节的大小来控制时ID，实现放大作用。其值可负，可正，可零。 三、 场效应管的主要参数 1.输出特性曲线 它是指栅源电压UGS一定时，漏极电流ID与漏源电压UDS之间的关系曲线。 2.转移特性 在场效应管的UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性。它反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用。 3.主要参数 （1）夹断电压UP：指UDS为某一定值时，使结型或耗尽型场效应管漏极电流ID近似为零的栅源电压值称为UP。 （2）开启电压UT：指UDS为一定值时，形成导电沟道，使增强型MOS管导通所需要的栅源电压值。 （3）饱和漏极电流IDSS 当UDS为某一定值时，UGS=0时结型或耗尽型场效应管所对应的漏极电流称为IDSS。 （4）低频跨导gm 定义：gm为UDS一定时，漏极电流的变化量与栅源电压变化量的比值。 gm反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制及放大作用，单位是mS(毫西门子)。 四、 场效应管使用注意事项 1、在使用场效应管时，要注意漏、源电压，漏、源电流，栅、源电压，耗散功率等数值不能超过最大允许值。 2、场效应管在使用中，要特别注意对栅极的保护。尤其是绝缘栅场效应管，这种管子输入电阻非常高，这是重要的优点，但却带来新的问题。因为栅极如果感应有电荷，就很难泄放掉，电荷的积累就会使电压升高，特别是极间电容比较小的管子，少量的电荷足以产生击穿的高压。为了避免这种情况，决不允许栅极悬空，要绝对保持在栅、源之间有直流通路，即使不用时，也要用金属导线将三个电极短接起来。在焊接时，也要短接好，并应在烙铁的电源断开后再去焊接栅极，以避免交流感应将栅极击穿。近来，出现了内附保护二极管的MOS场效应管，使用时可与结型场效应管一样方便。 3、对于结型场效应管，其栅极保护的关键在于不能对PN结加正向电压，以免损坏。 4、注意各极电压的极性不能搞错。 五、场效应管和三极管的特点比较 场效应晶体管FET和晶体三极管BJT都具有较强的放大能力， 并由此发展成单极型和双极型两大类集成电路， 是电子技术中两种非常重要的元器件， 现将这两种分立器件的特点作一比较。 (1) 晶体三极管BJT是电流控制器件， 用基极电流控制集电极电流； 场效应管FET是电压控制器件，利用栅源电压控制漏极电流。场效应管的跨导gm比较小，其放大作用远低于晶体三极管。 (2) 由于场效应管是利用电场效应来工作的， 其输入端几乎不取电流， 输入电阻很大， 因此， 三极管和场效应管各适用于不同的信号源。 在仅允许取少量信号源电流的情况下， 应选用场效应管构成放大电路； 在允许取一定输入电流的情况下， 可以选用三极管构成放大电路。 （3）三极管的多子和少子均参与导电， 是双极型器件； 场效应管是利用多子导电的单极型器件。