材料科学研究（第4版）课件：标准电子衍射花样及偏移矢量.pptxVIP

标准电子衍射花样及偏移矢量 材料研究方法 课程内容 一 标准电子衍射花样 偏移矢量 二 一、标准电子衍射花样 1）简单立方：无消光现象，只要满足布拉格方程的晶面均能产生衍射斑点； 2）底心点阵：h+k＝奇数时，Fhkl＝0； 3）面心点阵：h k l奇偶混杂时，Fhkl＝0； h k l全奇全偶时，Fhkl0； 4）体心点阵：h＋k＋l＝奇数时，Fhkl＝0； h＋k＋l＝偶数时，Fhkl0； 5）密排六方：h+2k=3n，l=奇数时，Fhkl＝0； 注意：1）前四种消光是由点阵本身决定的，属于点阵消光，而第五种消光是由两个简单点阵套构所致，属于结构消光。点阵消光和结构消光合称系统消光。 2）满足布拉格方程仍然是发生衍射的必要条件，不是充分条件。 1.电子衍射的消光规律：等同于X射线衍射 1）作出晶体的倒易点阵（可暂不考虑系统消光），定出倒易原点。 2）过倒易原点并垂直于电子束的入射方向，作平面与倒易点阵相截，保留截面上原点四周距离最近的若干阵点。 3）结合消光规律，除去截面上的消光阵点，该截面即为零层倒易阵面。各阵点指数即为标准电子衍射花样的指数。 例1：体心立方点阵，晶带轴分别为[001]和[ ]，作出其零层倒易阵面图。 步骤如下： 可以通过作图法求得，即零层倒易阵面。 2. 标准电子衍射花样 法 已知晶体结构时画法（uvw）﹡ 1）试探法找到第一个低指数的晶面h1k1l1,使h1u+k1v+l1w=0;如果能方便找到第二个低指数的晶面h2k2l2更好，即h2u+k2v+l2w=0； 2）运用矢量合成法即可求得其它各点了； 3）由消光规律得出有效点指数； 4）补漏检查是否所有倒易点均已画上。 注意：开始选不同的h1k1l1，其过程一样，如不漏点的话，则指数也应一样。 [uvw]即为晶带轴，所有倒矢量均与之垂直。 友情提醒：第二个低指数的晶面h2k2l2一般不易找到，一般在找到第一个后，就选用与第一个倒矢 量垂直的第二个矢量，这对画图有利且方便。 二维倒阵平面的画法 举例：绘出面心立方（321）﹡倒易面-解法1 1）试探：（h1k1l1）为（1-1-1）面合适，得第一倒矢量g1-1-1 2）定（h2k2l2）.设定gh2k2l2⊥g1-1-1,则 gh2k2l2 ⊥r 即 3h2+2k2+1l2=0 gh2k2l2⊥g1-1-1 即h2-k2-l2=0 解方程组得：h2k2l2=1 -4 5,由于该点消光，放大为2－810 3）作图 由晶面间距公式得倒矢量的长度g1-1-1 和g1-4 5,两者垂直，故可得出其它各点了。 解法2 （1）由倒易面指数321逆向推得三个面截距分别为和1/3，1/2，1，作出该截面，三顶点分别为1/6 0 0，0 1/2 0和0 0 1，见图5-12（a）。 （2）同时放大三截距6倍（3、2、1的最小公倍数），分别得2，3和6，作出该倒易阵面，三 个顶点指数分别为200，030，006，见图5-12（b）。 （3）平移该倒易阵面的任一顶点至倒易原点O*，如顶点200 移至原点O*，另两顶点同步位移，分别为200，030和006，并计算三个边长，分别为 （4）由三个边长、矢量合成法则及点阵消光规律可得其他各倒易阵点，见图5-12（b）。结果与解法1相同。注意图中的和均为消光点。 绘制六方结构中与[010]方向垂直且过倒易点阵原点的标准电子衍射花样 二 、偏移矢量 图5-11 对称入射时 零层倒易阵面与反射球 图5-12 非对称入射时 零层倒易阵面与反射球 对称入射，标准电子衍射花样就是该晶带轴的零层倒易面在底片上的成像。从理论上讲标准电子衍射花样只能有一个中心斑点。若要让某一晶面或多个晶面参与衍射，就得稍稍转动晶体一个角（非对称入射），事实上对称入射时，仍可获得多个晶带面参与衍射的标准电子衍射花样。 二 、偏移矢量 （a）0, s0 （b）=0, s =0 （c）0 , s0 图 5-16反射球与倒易杆相交的三种典型情况 二 、偏移矢量 图5-17零层与非零层倒易截面同时成像 二 、偏移矢量 1）电子衍射采用薄晶样品，倒易阵点发生了扩展，倒易杆的长度为样品厚度