电子束曝光技术课程1.pptxVIP

Electron Beam Lithography电子束光刻——基本理论张志勇zmailto:Zyzhang@pku.edu.cnyzhang@pku.edu.c光技术分类传统光学曝光技术电子束曝光技术离子束曝光技术X射线曝光技术极紫外曝光技术纳米压印术Conclusion on Lithography techniques利用某些高分子聚合物对电子束敏感形成曝光图形光学曝光分辨率受光波长的限制电子波长电子束直写 ——分辨率高、不需要Mask 、曝光效率低G线I线DUVEUV436nm365nm248,193nm与电子能量有关100eV电子，波长0.12nm分辨率限制：主要来自电子散射1. 电子束曝光机笔2. 电子束抗蚀剂纸怎么写3. 电子束曝光方式4. 电子散射和邻近效应写得好5. 电子束光刻流程6. 电子束曝光技术应用1. 电子束曝光机电子枪束闸电子透镜计算机电子偏转器真空系统温控系统激光工件台系统电子束曝光系统分类按工作方式分 直接曝光 投影式曝光按电子束形状分 高斯圆形束电子束曝光系统 成形束电子束曝光系统（固定、可变）按扫描方式分 光栅扫描电子束曝光系统 矢量扫描电子束曝光系统电子束曝光系统的重要指标最小束直径加速电压电子束流扫描速度扫描场大小工作台移动精度套准精度场拼接精度MEBES4700SETEC MEBES4700S 光栅扫描电子束曝光系统。主要用于0.35μm、7英寸及其以下IC生产线的掩模版制造。曝光极限分辨力360nm线宽，有面向90nm主流技术掩模制造领域进军的潜力。几种商用电子束曝光系统对比基于SEM改造两台，Raith150一台2. 电子束抗蚀剂大多数的抗蚀剂曝光只需要几个eV能量的电子对电子束敏感的聚合物对抗蚀剂起曝光作用的是二次电子正抗蚀剂：入射粒子将聚合物链打断正抗蚀剂：入射粒子将聚合物链打断，曝光的区域变得更容易溶解，显影完毕后，曝光图形阴影部分的胶都溶解了。正抗蚀剂负抗蚀剂：入射粒子将聚合物链接起来负抗蚀剂：入射粒子将聚合物链接起来，曝光的区域变得更不容易溶解，显影完毕后，曝光图形阴影以外部分的胶都溶解了。负抗蚀剂化学放大抗蚀剂优势：高灵敏度、高分辨率和对比度，抗干法刻蚀能力强缺点：对后烘条件要求苛刻，正抗蚀剂的表面易受空气中的化学物质污染。对电子束敏感的聚合物抗蚀剂的重要参数灵敏度对比度分辨率抗刻蚀比曝光宽容度工艺宽容度黏度、热流动性、膨胀效应灵敏度和对比度高对比度侧壁更陡工艺宽容度更大分辨率更高（不一定总是）对临近效应更不敏感抗蚀剂的分辨率抗蚀剂的厚度PMMA抗蚀剂－多丙稀酸脂聚合物高分辨率高对比度低灵敏度灵敏度随着相对分子质量减小而增加灵敏度随着显影液中MIBK（MIBK:IPA）的比例增加而增加可以用深紫外或者X射线曝光抗刻蚀性能差！兼有高分辨率、高对比度和高灵敏度，抗刻蚀能力也很强综合实力强！多层抗蚀剂工艺3. 电子束曝光方式Scan Techniques for E-beam Lithography 1. 工件台移动和曝光写场电子束偏转范围受限工件台移动切换曝光写场 (field)曝光图形被分成许多个小区域 (field)2. 矢量扫描光栅扫描矢量扫描 Vector scan——只在曝光图形部分扫描 分辨率高、速度慢光栅扫描 Raster scan——对整个曝光场扫描，束闸（beam blanking）只在图形部分打开速度快、分辨率较低3. 高斯圆电子束Vs.成形电子束曝光次数：90： 10： 2固定成形束可变成形束高斯圆束工作方式1－高斯束、矢量扫描、固定工作台工作方式2－高斯束、光栅扫描、移动工作台工作方式3－成形束、矢量扫描4. 电子散射与邻近效应电子散射前散射Forward scattering背散射Back scattering 入射电子束在抗蚀剂中被展宽 与入射电子能量有关 电子在抗蚀剂和基底材料界面形成反射 与电子能量、基底材料有关, essentially depends on the resist and the voltage, depends on the voltage and the substrate电子散射能量沉积分布电子散射引起的邻近效应内部临近效应 Inter-proximity相互临近效应 Intra-proximity照片来源：LPN怎样对抗邻近效应1. 几何尺寸校正 2. 剂量校正 图形分割和剂量分配一般要靠专用的邻近效应校正软件完成。如Sigma-C公司的邻近效应软件Caprox。 3. Write on membranes很好的克服了电子束在衬底上背散射的问题结合X-ray曝光可获得高分辨率图形5. 电子束光刻的流程电子