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【3-1】解:
(1)预备知识
万用表欧姆档可以等效为由一个电源(电池)、一个电阻和微安表相串联的电路,如图A3.1(a)所示。
晶体管可视为两个背靠背连接的二极管,如图A3.1(b)所示。
②晶体管3个区的特点:发射区杂质浓度大,集电区杂质浓度低,基区薄且杂质浓度最低。因此,发射结正偏时,射区有大量的载流子进入基区,且在基区被复合的数量有限,大部分被集电极所收集,所以此时的电流放大系数β大。如果把发射极和集电极调换使用,则集电结正偏时,集电区向基区发射的载流子数量有限,在基区被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小,所以β反很小。
(2)判断方法
①先确定基极:万用表调至欧姆×100或×1k档,随意指定一个管脚为基极,把任一个表笔固定与之连接,用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。若两次测得电阻都很大(或很小)。把表笔调换一下再测一次,若测得电阻都很小(或很大),则假定的管脚是基极。若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大,为NPN型,反之为PNP型。
②判断集电极:在确定了基极和晶体管的类型之后,可用电流放大倍数β的大小来确定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断方法。
先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起,并用一只手的中指和姆指捏住,红表笔与假定的发射极接在一起,再用捏集电极的手的食指接触基极,记下表针偏转的角度,然后两只管脚对调再测一次。测试原理如图A3.1(c)所示。当食指与基极连接时,通过人体电阻给基极提供一个电流IB ,经放大后有较大的电流流过表头,使表针偏转,β大,表针偏转角度就大;否则β反很小,即ββ反。
若第一次表针偏转角度大于第二次表针偏转角度,则假设成立。否则,与假设相反。
(a)万用表等效图 (b)NPN和PNP管等效图 (c)测试示意图
【3-2】解:
当开关处于位置2 时,相当一个发射结,此时IB 最大;当开关处于位置1时,晶体管c、e短路,相当于晶体管输入特性曲线中UCE=0V的那一条。集电极有一些收集载流子的作用,基区的复合比较大,IB次之;当开关处于位置3 时,因集电结有较大的反偏,能收集较多的载流子,于是基区的复合减少,IB最小。
【3-3】解:
放大,饱和,截止,放大。
【3-4】解:
(a)电路中晶体管基极电流为
晶体管的管压降为
该电路中晶体管的管压降不可能为负值。出现负值的原因是错误的计算了集电极电流,实际上集电极电流受Rc的限制不能达到=10mA,故在该电路中集电极电路和基极电流不能满足倍的关系,晶体管工作在饱和区。
(b)晶体管发射结不能正偏,工作在截止区。
(c)电路中晶体管基极电流为
晶体管发射结正向偏置,管压降足以建立集电极结反向偏置,因此晶体管工作在放大区。
【3-5】解:
直流通路如图A3.5(a)、(b)所示,交流通路如图A3.5(c)、(d)所示。
图
【3-6】解:
(1)由图(b)可知:IBQ=40??,ICQ=2m?,UCEQ=5V,VCC=10V,所以
交流负载线的斜率为-,而图P3.6(b)中交流负载线的斜率为
根据,得
(2)由交流负载线可知,正半周最大不失真输出电压幅度为8V-5V=3V,负半周最大不失真输出电压幅度5-UCES?5V。取二者中较小者3V,为该电路的最大不失真输出电压幅度。该电路在正半周先出现截止失真,刚出现失真时输出电压的峰峰值为6V。
(3)晶体管的为
晶体管的rbe为
输入电阻为
输出电阻为
放大倍数为
(4) 当β值减小一半时,基本不变,减小50%,增加,电压放大倍数的绝对值下降,因为
【3-7】解:
由UBEQ晶体极管是锗PNP管。
(1)该放大电路的直流通路如图A3.7(a)所示,静态工作点计算如下:
(2)晶体管的rbe为
(3)放大电路的微变等效电路如图A3.7(b)所示,其电压放大倍数为
(a)直流通路 (b)微变等效电路
(4)由PNP晶体管构成的共射放大电路出现底部削平失真,则放大电路产生了截止失真。若使失真消失,适当减小Rb,即可增大电流、,减小UCEQ,使静态工作点上移。
【3-8】解:
(1)放大电路的直流通路如图A3.8(a)所示,其等效直流通路如图A3.8(b)所示。根据戴维宁定理,等效开路电压为
等效内阻 为
=15 k?
静态工作点计算:
22?A
=
(2)该电路的微变等效电路A3.8(c)所示,晶体管的rbe为rbe=
放大电路的
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