MEMS热电堆红外探测器结构设计及制造研究.docxVIP

MEMS热电堆红外探测器的结构设计及制造研究 MEMS热电堆红外探测器的结构设计及制造研究 MEMS热电堆红外探测器的结构设计及制造研究 MEMS热电堆红外探测器的结构设计及制造研究 在现代社会中， 无论是军用还是民用领域， 红外探测器都有越来越重要的地 位。热电堆红外探测器作为非制冷型红外探测器的一种， 自 20 世纪 80 年代 MEMS 〔微机械系统〕工艺技术的引进，陆续出现了 IC 兼容的微机械硅基红外探测器 类型，相较传统方法制作的热电堆器件具有低本钱、低功耗、小型化等特点，受 到国内外研究人员越来越多的关注。 但是近年来的研究在设计与工艺兼容方面始终存在一些弊端， 因此本文针对 结构和工艺兼容进行一系列创新， 通过大量的工艺制备实验， 完整的得出一种制 备简单、与 CMOS兼容性强的新型热电堆红外探测器工艺流程。本文的主要研究 重点有：〔1〕理论设计方面，针对本钱和 IC 兼容性方面进行了几点创新，包括 有：突破单层硅片干法刻蚀对尺寸的限制和 SOI 衬底价钱昂贵，不易于成批制造 的缺点，采用了氧化层上的多晶硅〔 Si-SiOsub2/sub-POLY〕作为衬底；两 层热偶条采用叠放的方式， 有效节省结构空间， 中间采用 LPCVD制作氧化硅作为 热电隔离。 通过热平衡分析设计的结构模型，从热偶条长度、宽度、厚度、对数和吸收 区边长几个方面的优化比照。 〔2〕工艺方面，针对本设计的探测器结构，分析在 制备过程中的工艺步骤。 对这些工艺过程进行实验比照，实验包括有：多晶硅高深宽比凹槽〔大于 2 m〕的刻蚀实验中侧壁形貌和尺寸控制与刻蚀条件的关系；使用氧化硅进行深槽填充时填充程度和填充后外表平整度的测试实验； 关于在高深宽比结构内形成所需尺寸结构的条件研究和 XeFsub2/sub干法释放的条件实验等。 并对实验 结果进行分析说明。 〔3〕另外，本文采用卤素气体对非晶硅进行刻蚀出现的针状结构 〔“黑硅〞〕 作为探测器的外表吸收层。 通过不同刻蚀条件得到外表黑化程度不同的样片； 并 对样片的红外吸收率进行测试。 本文通过对各项工艺制备条件的比照， 得到了不同实验中多组样片结果， 进 行了 wafer 外表或者掰片后侧壁的电镜测试。 通过对测试结果进行分析， 最终验 证了设计中各项创新点在实际工艺制备中的可行性。 在克服所有工艺难题的根底上， 整合本设计的工艺制备步骤， 成功的得出具 有腐蚀自停止、以厚多晶硅作衬底释放结构的热电堆红外探测器的制备流程。