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2021/9/12 * 2021/9/12 * §7.2 门极驱动 一、驱动条件: 门极驱动电路的正偏压VGS,负偏压－VGS,门极电阻RG的大小,决定IGBT的静态和动态特性,如:通态电压、开关时间、开关损耗、短路能力、电流di/dt及dv/dt。 2021/9/12 * 1．正偏电压VGS的影响 VGS增加时,通态压降下降,开通时间缩短,开通损耗减小,但VGS增加到一定程度后,对IGBT的短路能力及电流di/dt不利,一般VGS不超过15V。（12V~15V） 2021/9/12 * 2．负偏压－VGS的影响: 门极负偏压可以减小漏极浪涌电流,避免发生锁定效应,但对关断特性影响不大。如图: 2021/9/12 * 3．门极电阻RG的影响: 当门极电阻RG增加时,IGBT的开通与关断时间增加,进而使每脉冲的开通能耗和关断能损也增加。 但RG减小时, IGBT的电流上升率di/dt增大,会引起IGBT的误导通,同时RG电阻的损耗也增加。 一般,在开关损耗不太大的情况下,选较大的电阻RG。 2021/9/12 * 4．IGBT驱动电路设计要求: (1)由于是容性输入阻抗,因此IGBT对门极电荷集聚很敏感,驱动电路必须很可靠,要保证有一条低阻抗值的放电回路。 (2)用低内阻的驱动源对门极电容充放电．以保证门极控制电压VGS有足够陡峭的前后沿,使IGBT的开关损耗尽量小。另外IGBT开通后,门极驱动源应提供足够的功率使IGBT不致退出饱和而损坏。 (3)门极电路中的正偏压应为+12~+15V;负偏压应为－2~－10V。 (4)IGBT多用于高压场合,故驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离。 (5)门极驱动电路应尽可能简单实用,具有对IGBT的自保护功能,并有较强的抗于扰能力。 (6)若为大电感负载,IGBT的关断时间不宜过短,以限制di/dt所形成的尖峰电压,保证IGBT的安全。 2021/9/12 * 二、驱动电路: 在满足上述驱动条件下来设计门极驱动电路,IGBT的输入特性与MOSFET几乎相同,因此与MOSFET的驱动电路几乎一样。 注意: 1．IGBT驱动电路采用正负电压双电源工作方式。 2．信号电路和驱动电路隔离时,采用抗噪声能力强,信号 传输时间短的快速光耦。 3．门极和发射极引线尽量短,采用双绞线。 4．为抑制输入信号振荡,在门源间并联阻尼网络。 2021/9/12 * 2021/9/12 * 2021/9/12 * 三、常用PWM控制芯片: TL494,SG3524,SG1525,MC3520,MC34060, VC1840,SL-64等。 四、IGBT专用驱动模块: 大多数IGBT生产厂家为了解决IGBT的可靠性问题,都生产与其相配套的混合集成驱动电路,如日本富士的EXB系列、日本东芝的TK系列,美国库托罗拉的MPD系列等。这些专用驱动电路抗干扰能力强,集成化程度高,速度快,保护功能完善,可实现IGBT的最优驱动。 富士的EXB841快速驱动电路 2021/9/12 * 由放大电路,过流保护电路,5V基准电压源电路组成。 具有过流缓关断功能。 2021/9/12 * §7.3 IGBT的保护 一、常用的保护措施: (1)通过检出的过电流信号切断门极控制信号,实现过电流保护 (2)利用缓冲电路抑制过电压并限制过量的dv/dt。 (3)利用温度传感器检测IGBT的壳温,当超过允许温度时主电路跳问,实现过热保护。 二、过电流保护措施及注意问题: 1．IGBT短路时间: 2021/9/12 * 2021/9/12 * 2．过电流的识别: 采用漏极电压的识别方法,通过导通压降判断漏极电流大小。进而切断门极控制信号。 注意:识别时间和动作时间应小于IGBT允许的短路过电流时间（几个us）,同时判断短路的真与假,常用方法是利用降低门极电压使IGBT承受短路能力增加,保护电路动作时间延长来处理。 3．保护时缓关断: 由于IGBT过电流时电流幅值很大,加之IGBT关断速度快。如果按正常时的关断速度,就会造成Ldi/dt过大形成很高的尖峰电压,造成IGBT的锁定或二次击穿,极易损坏IGBT和设备中的其他元器件,因此有必要让IGBT在允许的短路时间内采取措施使IGBT进行“慢速关断”。 2021/9/12 * 2021/9/12 * 采用电流互感器和霍尔元件进行过流检测及过流保护: 2021/9/12 * 三、缓冲电路 利用缓冲电路抑制过电压,减小dv/dt。 50A 200A 200A 2021/9/12 * 缓冲电路参数估算: