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1.1半导体基础知识 纯净的具有金属结构的半导体称为本征半导体 晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称 为晶格。 本征半导体中有两种载流子 1、 挣脱共价键束缚的自由电子 2、 共价键中留下的空位置空穴 本征半导体 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们 的最外层电子（价电子）都是四个。 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成 晶体 本征半导体的导电机理 在其它力的作用下， 空穴吸引附近的电子 来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流 子。 本征半导体中电流由两部分组成： 自由电子移动产生的电流。 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导 体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个 重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就 会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因 是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 ? N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半 导体，也称为（电子半导体）。 ? P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导 体，也称为（空穴半导体）。 N型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子， 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键， 必定多出一个电子，这个电子几乎不受束 缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷 原子就成了不能移动的带正电的离子。每个 磷原子给出一个电子，称为 施主原子。 多余电子 多余 电子 * +4 N型半导体中 的载流子是什 么？ 磷原子 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为 多数载流 .子（多子），空穴称为 少数载流子（少子）。 P型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 （或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键 时，产生一个空穴。这个 空穴可能吸引束缚电子来 填补，使得硼原子成为不 能移动的带负电的离子。 由于硼原子接受电子，所 以称为受主原子。 P型半导体中空穴是多子，电子是少子 杂质半导体的示意表示法 TOC \o 1-5 \h \z 0 Q O Q Q O O O C o O 0 P型半导体  + + + + + + ? ? ? ? ? ? + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子 近似认为多子与杂质浓度相等。 PN 结 PN结的形成： 在同一片半导体基片上，分别制造 P型半导体和N型半导体，经过载流 子的扩散，在它们的交界面处就形成 了 PN 结。 漂移运动内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 漂移运动 O㈠二‘二’工O O □ D 0Q?? ? (+ + O㈠二‘二’工 O O □ D 0 Q ? ? ? (+ + ■.+ ? ? ■ ? ? Q?G? G G O 0 O 0 0 ■+; (+「+ ? ? e * ? ? n 二二 Q O 0 Q 0 Q ???@o ? ? ? ? ? ??G ― G O O o o D 0 (+ ? (+ (+ @@ P型半导体 二内电场eN型半导体 扩散的结果是使空间 电荷区逐渐加宽，空 间电荷区越宽。 空间电荷区, 扩散运动 也称耗尽层。 电位V G； 0 0 0 G 0 O D D □ O 1 G G G G G ；G Q ◎ ° ◎ 0 GG G G G 匕 G G G g G G 0 1 1 (+k+(+(+牟(+ ?!g?@gg (+丄+；〔+〉(+心(+ Q\(+(+(+QG ] P型区空间 N P型区 区 注意: 1、空间电荷区中没有载流子。 2、 空间电荷区中内电场阻碍 P中的空穴、N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散 运动）。 3、 P区中的电子和 N区中的空穴（都是 少），数量有限，因此由它们形成的电流 很小。 PN占的单向导电性 ?e?? QIOI—QI0I ◎ ◎?? PQ 一6 ?e?? QIOI—QI0I ◎ ◎?? PQ 一6 一 wpo Q?oo 乜 ? ?t0t? 0 ? 0 ? ?(±0(^ P区加正、 N区加负电 压。 PN 吉加正向电压时导通 PN结加上反 向电压、反向 偏置的意思都 是： P区加负、 N区加正电 压。 P11 — —Np 一一0