半导体集成电路复习总结.docxVIP

1、 隐埋层杂质的选择原则； 杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低； 高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离； 与硅衬底晶格匹配好，以较小应力 因此最理想的隐埋层杂质是砷（As） 2、 外延层厚度包括哪几个部分，公式里的四项分别指什么？ 延层厚度应满足 TepiXjc+Xmc+TBL-up+Tepi-ox 集区扩散结深Xjc、集电极耗尽区宽度 Xmc埋层扩散上推距离 TBL-up和为外延淀积 后各道工序生成的氧化层所消耗的外延层的厚度 tepi-ox; 3、 双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？ 七次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻； P+隔离扩散孔光刻；P型基区扩散孔光刻；N+发射 区扩散孔光刻；引线接触孔光刻；金属化内连线光刻；压焊块光刻； 四次扩散：隐埋层扩散；P型隔离扩散；P型基区扩散；N+发射区扩散； 4、 集成和分立的双极型晶体管结构上有何区别？ 在pn结隔离工艺中，典型NPN集成晶体管的结构是四层三结构， （NPN管高浓度N型扩 散发射区，NPN管P型扩散基区，n型外延层（PNP管集电极），p型衬底EB结BC结 CS结）而分立的是三层二结结构 5、 扩散电阻最小条宽的确定原则； （P58） 设计规则决定的最小扩散条宽 Wmin 工艺水平和电阻精度要求所决定的最小电阻条宽 Wr, min 流经电阻的最大电流决定 W, min 分析了对电阻最小条宽的三种限制， 在设计扩散电阻的最小条宽时应取其中最大的一个 6、 SBD与普通二极管的相比，有哪些特点？ SDB的正向导通压降 Uth小； 小注入时SDB是多子导电器件，改变电压时，响应速度快； SBD的反向饱和电流Ids大； SDB正向电压温度系数小； 7、 集成电阻器和电容器的优缺点； （P55） 优点：元件间的匹配及温度跟踪好 缺点：①精度低，绝对误差大； ③可制作范围有限，不能太大，也不能太小； 温度系数较大； ④占用的芯片面积大，成本高； 11、 横向PNP管的直流电流放大倍数小的原因； （P31-34） 存在纵向PNP的影响 在图形设计上减少发射区面积与周长之比 B 在工艺上可采用增大结深及采用埋层工艺等方法 横向PNP管本身结构上的限制 其横向平均基区宽度不可能做得太小 发射极注入效率低 表面复合影响大 12、 减小NPN晶体管中的集电极串联电阻 res的方法；（P24） 在工艺设计上，采用加埋层的方法以减小 rcs，在满足工作电压要求情况下减小外 延层电阻率和厚度，采用深 N+集电极接触扩散以减小 rcs。 在版图设计上，电极顺序采用BEC排列来减小Lec，以减小rc2 ，采用双集电极或马 蹄形集电极图形减小 rc2，但芯片面积及寄生电容增大了。 13、 衬底PNP的特点；（P37） 纵向PNP管的C区为整个电路的公共衬底， 直流接最负电位，交流接地。适用范围有 限，只能用作集电极接最负电位的射极跟随器。 晶体管作用发生在纵向， 各结面较平坦，发射区面积可以做得较大， 工作电流比横向 PNP大。 因为衬底作集电区，所以不存在有源寄生效应，故可以不用埋层。 外延层作基区，基区宽度较大，且硼扩散 p型发射区的方块电阻较大，因此基区输 运系数和发射效率较低，电流增益较低。 由于一般外延层电阻率p epi较大，使基区串联电阻较大。 14、 集成二极管中最常用的是哪两种，具体什么特点？ （ P40） 集成齐纳二极管： 反向工作的BC短接二极管，没有寄生PNP效应，且储存时间最短， 正向压降低； 次表面齐纳管：单独 BC结二极管，不需要发射结，面积可以做得很小，结电容小， 开关时间短，正向压降也很低，且击穿电压高 15、 SCT的工作特点？ （ P43） （1） 当SCT工作于正向工作区或截止区时，有（ Vbe0 Vb（0或Vbe0 Vbc0） SBD处于反 偏状态，可以忽略其作用，此时 SCT相当于一般的NPN管 （2） 当SCT工作于反向工作区或饱和区时， Vbc0,此时又可分为两种情况： Vbc小于SBD的导通压降，SBD仍未导通，所以I b，=Ib。 Vbc大于SBD的导通压降，于是 SBD导通，I b被分流，晶体管的 Sc被钳位0.45V 16、 MOS集成电路工艺中提高场开启电压的方法？ （ P46） 加厚场氧化层的初始厚度，并严格控制随后加工中的腐蚀量。 在场区注入（或扩散）与衬底同型的杂质，以提高衬底表面浓度，但掺入杂质要适当。 1. CMO反相器设计采用两种准则： ①对称波形设计准则； ②准对称波形准则。 3?饱和E/E自举反相器的输出高电平比电源电压低一个开启电压；耗尽负载反相器，负 载管为耗尽型MOSFET其栅源短接。 有比反相器和无比反相器（P119） 有比反相器 在输出低电平时，驱动管和负载管同时导通， 其