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总结. 总结. 第一章半导体二根管 1?本征半导体 □单质半导体材料是具有4价共价进晶体给构的iJSi和猜Ge。 □导电能力介干导体和经缘体之间。 □特牲：光叙、热叙和掺杂特性。 □本征半导体：纯冷的、具有完整晶II结枸的半导体。在一定的温度卞，本征半导体内的最垂要的物 理规象是本征激发（Q林热淵发），产生两种帑电性质相反的我说子（空穴和自由电子对），富度越 高，本征淵发越囁。 ?空穴是半导II中的一种等效代的我渝子。空穴导电的本喷是价电子依次填补本征晶体中空位, 便局部显示+q电荷的空位宏规定向运动。 ?在一定的温度下，自由电子和空兀在热运动中松遇，便一对自由电子和空穴消失的现象祢力 复合。当热激发和夏合相等时，林为我浹子他于动态平働状态。 杂质半导体 □在本征半导II中掺人微量杂质形成的半导U。体现的是半导体的掺杂特11。 P型半导II：在本征半导体中梅人甜量的3价元索（多子是空穴，少子是电子）。 N型半导％：在本征半导U中搀人徹量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 □杂质半导体的特性 ?我逍子的浓度：务子浓度决定于杂质浓度，几乎与溢厦无关；少子浓度是温度的蝕恿函数。 It电皿：通常ft!杂鹼半导体自身的电皿祢为体电矶。 ?在半导体中，存在因电场作用产生的菽逍子漂務电说（与金属导电一致），込才能在因我说子 浓度差而严生的扩散电逍。 PN S □在具有芫整晶格的P塑和N塑半导体的物理界而附近，形应一个特殊的薄层（PN结）。 PN结中存在由N区常向P区的内建电场，阳止给外两区的多子的扩做，有利于少子的漂朽。 PN结具有单向导电性：正馅导通，反備截止，是构成半导体器件的核心元件。 ?正18 PN结（P+, N?）：具有随电压指数増大的电说，徒材料约为0.6-0.8V,绪M料约为0.2-0.3V。 ?反馅PN结（P?，N+ ）：在击穿前，只有很小的反向鬼和电说Is。 PN结的伏安（曲线）方桿：  4 ?半导体二根管 □普通的二枚管内芯片就是一 f PN结，P区引出正电様，N区引岀负电极。 ?单向导电性：正向导通，反向截止。 正向导通压跨：徒管0.6~0.7V,猜管0.2~0.3Vo ?死区电压:徒管0.5V, g t 0.1Vo □分桥方法：将二枚管斷开，分析二极管两端电位的高氐 ?若Vib VH（lEfcl）,二根管导通（短路）； ?若V讯V讯（反偏），二根管截止（开路）。 □方法1:图解分析法 ^D = ^D-/D/?iaa与伏安将牧曲找的交目叫静态工作点2 □方 □方a2：等效电路法 ?頁逍等效电路法（低频大信号模型） a〉理想模取% 4（c）折线模型（b） a〉理想模取 % 4 （c）折线模型 （b）恒压源模型 ? ?傲变等效电路法（低频小信号模型） 2旦 2旦 交流动态电皿： ，dq 5再圧二根管 5再圧二根管 二根管反偏电压增大到一定值时，反向电逍突然增大的现象怖为反向击穿。 反向击穿的壬要原因是有价电子M撞电离而发生的雪崩击穿花 梯压二枚管的特th常工作时处在PN结的反向击穿区。 稳压管的参1L稳定电压、稳定电说、额定ftfts动态电叽、温度系数。 穩圧管的应用：限帽电路，稳压电路。 稳斥管的伏安特件 稳斥管的伏安特件 第二章昂体三根管及基本赦大电路 4.1晶体三极管 ES管的结构、类塑及特点 □ 类ft为NPN相PNP两种。 □形成两彳、结：发射结和集电结；三个区烦：发射区、集电区和基区。 □结构特点： ?基区很薄，目掺杂浓asfu； ?发射区掺杂浓度很高，与基区接鞭面枳较小； ?集电区结面枳大，掺杂浓度较高。 2 ?三根管的工作原理 □电逍控制性器件，具有电潦放大作用 □电逍故大的外册条件： ?发射结正向倫置，集电结反向衞置。。 □所谓的加大:实质上是一种能量控制作用，通11晶体管这种有潔元件对宜流电源的能量2H亍控制, 使负裁从电源中菠得的输出信号的能量比信号漏向故大电路提供的能量大的So?大的特征是助率 8［大。 3磊体管的三个工作区 □笊大区，饱相区，截止区 ?判断晶体管处于那一个工作区的方法。 ?故大区的电逍分配关系。 状态mbk 状态 mbk ? “CE I 截止 V% ^CEO 厂cc 放大 十 % 左be 饱和 t on ^B mfaK 温度对晶体管特性及参数的影响： ?温度升高，输人特性曲线向左務动。 ?温度升高血0、假。、人以及”均〕曽加。 ?电逍故大倍th交诡和胃流 ?根限参数：晟夫集电率、晟大集电板电运、ffilO向击穿电压 4.2放大电路的组成原JS □晶li管放大电路的原呱 ?晞保合适的工作点（处于笊大区）； ?隔保被笊大的交渣输人信号能協作用于SIO的输人回路; ?恸保故大后的交垃擒岀倩号能传送到负菽上去。 □理解静态工作点的必要性！ □三根管的三种基本组态 （刃）共发射极组态