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PAGE1 / NUMPAGES1 《半导体器件物理》试卷(二)答案 《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则  一、填空（共24分，每空2分）  1、PN 结电击穿的产生机构两种；  答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。   2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；  答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。   3、晶体管特征频率定义；  答案：随着工作频率f 的上升，晶体管共射极电流放大系数β下降为1=β时所对应的频率T f ，称作特征频率。  4、P 沟道耗尽型MOSFET 阈值电压符号；  答案：0T V 。  5、MOS 管饱和区漏极电流不饱和原因；  答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。   6、BV CEO 含义；  答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。   7、MOSFET 短沟道效应种类；  答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。  8、扩散电容与过渡区电容区别。  答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。  二、简述（共20分，每小题5分）  1、内建电场；  答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。  2、发射极电流集边效应；  答案：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射极由边缘到中心的电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为发射极电流集边效应，或基区电阻自偏压效应。  3、MOSFET本征电容；  答案：即交流小信号或大信号工作时电路的等效电容，它包括栅漏电容和栅源电容，栅漏电容是栅源电压不变、漏源电压变化引起沟道电荷的变化与漏源电压变化量之间的比值，而栅源电容是指栅压变化引起沟道电荷与栅源电压变化量之间的比值。  4、截止频率。  答案：对于共基极接法，截止频率即共基极电流增益下降到低频时的21倍时所对应的频率值αf ，对于共射极接法，截止频率是指共射极电流增益下降到21  倍时所对应的频率值βf ，其中有αβf f ；（2）共射极输出特性曲线的末端上翘，是由于Early 效应的缘故缘故；（3）因为共机共基极输出特性曲线的斜率比共射极的小，所以其输出电阻要大于共射极接法的输出电阻；（4）由于共射极接法的电压落在两个结上，即BE CB CE V V V +=，则CE V 还未减小到零时，C I 已经开始下降，而共基极揭发时CB V 下降到零以后，C I 才开始下降。   3、改善晶体管频率特性的主要措施。  答案：（1）降低基区渡越时间b τ，如减小基区宽度等；（2）降低发射区渡越时间e τ，如减小E W ，增加发射区少子的扩散长度，作较陡的杂质分布，以  减小减速场的作用；（3）降低发射结充放电时间te τ和集电结充放电时间tc τ，如减小发射结与集电结的面积等；（4）降低d τ，如降低集电极电阻率，但会降低集电区的击穿电压；（5）降低eb τ，如降低发射结面积；（6）降低c τ，如降低TC C 和C r 等。   四、计算（共32分）  1、试推导非饱和区MOSFET 的Sah 方程；（此小题10分）  答案：参见教材《微电子技术基础—双极、场效应晶体管原理》（曹培栋编著，电子工业出版社，2001）第236-237页。   2、 长二极管I-V 方程的推导计算；（此小题10分）  答案：参见教材《微电子技术基础—双极、场效应晶体管原理》（曹培栋编著，电子工业出版社，2001）第18-19页，同时长二极管的近似条件。  3、 MOSFET 的阈值电压V T 的计算。（此小题12分）  答案：参见教材《微电子技术基础—双极、场效应晶体管原理》（曹培栋编著，电子工业出版社，2001）第222-229页。