我国CMP抛光垫生产现状.docx

我 国 CMP 抛 光 垫 生 产 现 状 ........................................ 精品资料 CMP抛光垫 化学机械抛光（ CMP），目前已成为公认的纳米 级全局平坦化精密超精密加工技术。 CMP技术将磨粒 的机械研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起 来，可实现超精密无损伤表面加工，满足集成电路特 征尺寸在 0.35 μm 以下的全局平坦化要求。 图 1 晶圆制造过程 CMP 技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、抛光浆料、抛光垫、后 CMP 清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。抛光 机、抛光浆料和抛光垫是 CMP 工艺的 3 大关键要素，其性能和相互匹配决定 CMP 能达到的表面平整水平。其中抛光浆料和抛光垫为消耗品。通常一个抛光 垫使用寿命约仅为 45 至 75 小时。 图 2 CMP 工作系统 CMP 抛光垫，又称 CMP 研磨垫，英文名为 CMP Pad，主要用于半导体和 蓝宝石等方面。 CMP 抛光垫由含有填充材料的聚氨酯材料组成，用来控制毛垫 的硬度。抛光垫的表面微凸起直接与晶片接触产生摩擦，以机械方式去除抛光 层在离心力的作用下，将抛光液均匀地抛洒到抛光垫的表面，以化学方式去除 抛光层，并将反应产物带出抛光垫。抛光垫的性质直接影响晶片的表面质量， 是关系到平坦化效果的直接因素之一。 CMP 是提供超大规模集成电路制造过程中表面平坦化的一种新技术，于 1965 年首次由美国的 Monsanto提出，最初是用于获取高质量的玻璃表面。自 从 1991年 IBM 将 CMP 成功应用到 64M DRAM 的生产中以后， 界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法， ........................................ CMP 技术在世 CMP 通过化 精品资料 学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯 化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了 磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛 光。在一定压力及抛光浆料存在下，被抛光工件相对于抛光垫作相对运动，借 助于纳米粒子的研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合，在被研磨的工 件表面形成光洁表面。 CMP 技术最广泛的应用是在集成电路（ IC）和超大规模 集成电路中（ ULSI ）对基体材料硅晶片的抛光。而国际上普遍认为，器件特征 尺寸在 0.35 μm 以下时，必须进行全局平面化以保证光刻影像传递的精确度和 分辨率，而 CMP 是目前几乎唯一的可以提供全局平面化的技术，其应用范围正 日益扩大。 目前全球生产半导体抛光垫的企业主要是陶氏（罗门哈斯），其垄断了集 成电路芯片所需抛光垫约 79%的市场份额。国外其他生产商有美国卡博特、日 本东丽、台湾智胜科技有限公司、日本 Fujibo Holdings, Inc 、韩国 KPX Chemical Co., Ltd.、日本 Nitta-Haas Incorporated等。 国内企业在化学机械抛光领域起步较晚，目前与国际先进水平仍有较大差 距，国内有少数企业采用国外公司主要是 3M 技术少量生产中低端产品，但缺 乏独立自主知识产权和品牌，庞大的国内市场完全被外资产品所垄断。 美国、日本、德国和韩国的抛光垫相关专利申请量在 2003~2006年达到高 峰，我国相关专利申请项自 2000 年起步， 2003 年开始呈现稳步增长态势，表 明我国在化学机械抛光技术领域的研发力度逐渐增强，在半导体特征尺寸逐渐 向小型化方向发展的态势下，在加工过程中需要对化学机械平坦化过程进行监 控，我国中芯国际率先取得突破，提出了涉及化学机械抛光终点侦测装置和方 法。 2016 年 8 月湖北鼎龙控股股份有限公司采用自主技术建设的一期 10 万片/ 年项目投产， 2017 年底进入芯片客户系统，标志着我国自主技术 CMP 垫真正 进入芯片市场。到目前为止，我国已经有近 10 家生产商。 我国半导体用 CMP 垫片主要生产企业情况 单位：万片 /年 此外，湖北鼎龙控股股份有限公司计划建设二期 40 万片/年项目； 2016年 11 月，宁波江丰电子材料股份有限公司和美国嘉柏微电子材料股份有限公司正 ........................................ 精品资料 式宣布就半导体集成电路化学机械研磨用（