第八章 晶格振动的吸收光谱.pptx

第八章 晶格(jīnɡ ɡé)振动的吸收光谱;引言(yǐnyán);;晶格振动?—q曲线(qūxiàn)（色散曲线(qūxiàn)）;8.1 离子(lízǐ)晶体长光学模及其与光的耦合 ;表8.1 某些体心和面心立方(lìfāng)晶体晶格振动长光学模 ;表8.1 某些(mǒu xiē)体心和面心立方晶体晶格振动长光学模（续） ;;模型(móxíng);Huang(黄昆)方程(fāngchéng)及其解之一：给出LST关系;b11= -?T2, b22 = ?0[?(?)-1];Huang方程及其解之二，预言了一个(yī ɡè)新的模式：光子与横向光学声子?TO的耦合模——极化激元（Polariton);耦合：?q=?k=?, q=k=q, 给出一个新???模式—极化 激元(Polariton)的色散(sèsàn)关系;极化(jí huà)激元 的性质;Polariton的色散关系;Polariton为何物(hé wù)？;Raman光谱(guāngpǔ)关于Polariton的实验;8.2 离子晶体光学响应函数 ---色散(sèsàn)关系与反射光谱;反射(fǎnshè)谱：R(0), R(?), R M(?), Rm(?) ，?M , ?m 剩余辐射区：全反射(fǎnshè) ?TO ? ?LO R(?) = 1 带宽?LO - ?TO ;8.2.2 实际(shíjì)离子晶体; Polariton 的色散(sèsàn)关系;实际晶体的Polariton色散(sèsàn)曲线;实际离子晶体(jīngtǐ)折射率谱的红外色散;实际离子晶体(jīngtǐ)红外反射谱;NaCl晶体(jīngtǐ)的反射光谱;8.3 TO声子的红外(Infra Red, IR)吸收(xīshōu);极性晶体(jīngtǐ)LiF（超薄膜）的吸收光谱;光与TO声子以及(yǐjí)LO声子相互作用示意图;非晶硅氢合金(héjīn)(a-Si:H)的IR光谱，4个基模全激活;定量与半定量分析(dìngliàngfēnxī) TO声子频率;气体或液体(yètǐ)，浓度为C (mole/cm3);固体IR吸收强度——确定(quèdìng)单位体积中振子数N;T;8.4 LO声子的吸收(xīshōu);多孔硅的红外反射光谱(guāngpǔ)，光以45o 斜入射到样品上. 箭头指示在不同样品中Si-O-Si桥键振动LO声子的位置。;8.5 掺杂(chān zá)、无序晶格振动的红外吸收，局域振动模;一维晶体中杂质引起的振动(zhèndòng)模示意图. (a)共振模；(b) 高频局域模； (c) 准局域模;局域模：一维单原子(yuánzǐ)链(M) + 替位杂质原子(yuánzǐ)(M);双原子晶格(jīnɡ ɡé)（M1 M2 ）： M替代M2: M M2，带隙模 ； M M2，高频局域模；;高频(ɡāo pín)局域模：硅中掺轻杂质 Li 和 B 的红外吸收光谱-----硅TO+TA的吸收,—杂质的吸收，—晶格吸收高频(ɡāo pín)限;模式辨认(biànrèn)(Assignment):下标S和D分别表示对称和形变振  动模的吸收;电负性效应：高电负性元素(yuán sù)替代，提高振动模频率;局域模的振动(zhèndòng)方式(频率依振动(zhèndòng)方式而异); Si-H键的可能(kěnéng)振动方式[以氢化非晶硅(a-Si:H) 为例];轻杂质诱导(yòudǎo)低频准局域模;H诱导低频(dīpín)准局域模：a-Si, a-Si:H(左), a-Ge, a-Ge:H(右)的红外吸收光谱(下), 单晶Si和Ge态密度的计算结果(上图)，注意氢引起的准局域振动模： a-Si:H中为215cm-1， a-Ge:中为120 cm-1;求H、D 在a-Si:H中的准局域模频率(pínlǜ)：;8.7 多声子过程(guòchéng)的IR 吸收; 多声子过程波矢关系示意图. 实线代表声子, 虚线(xūxiàn)代表倒格矢量G,，点线为合成的声子波矢.;单晶硅多声子红外吸收光谱(xī shōu ɡuānɡ pǔ);单晶硅多声子红外吸收(xīshōu)谱的辩认;多声子红外吸收(xīshōu)的温度效应;由量子理论(lǐlùn)可知:;内容(nèiróng)总结