第二章 氧化工艺.pptx

第二章 氧 化;二氧化硅(èr yǎng huà guī)是微电子工艺中采用最多的介质薄膜。 二氧化硅(èr yǎng huà guī)薄膜的制备方法有： 热氧化 化学气相淀积 物理法淀积 阳极氧化等 热氧化是最常用的氧化方法，需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。 ;本章内容 二氧化硅的性质 二氧化硅的用途 热氧化原理（Deal-Grove模型) 热氧化工艺（方法）和系统(xìtǒng) 热氧化工艺的质量检测;1、二氧化硅(èr yǎng huà guī)的性质;在二氧化硅膜中，有的氧原子与两个硅原子键合，称为桥键氧。只与一个硅原子键合的氧原子，称为非桥键氧。 二氧化硅膜主要由任意方向的多面体网络组成，而两者的比例(bǐlì)影响着网络结构的强度、密度等性质，桥键氧越多则粘合力越强、网络强度越大、二氧化硅膜越致密。 干氧氧化的二氧化硅膜比湿氧和水汽氧化的二氧化硅膜都致密，就是因为干氧氧化的二氧化硅膜中桥氧键多。;、物理性质 密度(mìdù)：无定型SiO2密度(mìdù)2.15～2.25g/cm2,结晶型SiO2密度(mìdù)2.65g/cm2 折射率：密度(mìdù)大的薄膜具有大的折射率 电阻率：与制备方法以及所含杂质数量等因素有关(SiO2电阻率 1010 Ω.cm，高温干氧氧化的电阻率达1016 Ω.cm ） 介电强度：单位厚度的SiO2所承受的最小击穿电压106～107V/cm 介电常数：相对介电常数为3.9;、化学性质(huàxué xìngzhì);2、二氧化硅的用途 对杂质扩散的掩蔽作用 对器件的表面保护和钝化作用 用于器件的绝缘(juéyuán)隔离层 用作电容器的介质材料 用作MOS器件的绝缘(juéyuán)栅材料 用于其它半导体器件 ;; 2.1.1掩蔽层条件 SiO2膜能在杂质扩散(kuòsàn)时起掩蔽作用，必须满足两个条件： ——杂质在SiO2中的扩散(kuòsàn)系数必须远小于Si中的扩散(kuòsàn)系数，DSiO2＜DSi 。 ——SiO2具有足够厚度，当杂质在Si中扩散(kuòsàn)达到所需深度时，还没有扩穿SiO2膜;2.1.2杂质在SiO2中的存在形式 按照是否(shì fǒu)含有杂质，分为本征二氧化硅和非本征二氧化硅；按照杂质在二氧化硅网络中的存在形式，后者又分为网络形成者和网络改变者； ——网络形成者：可以取代二氧化硅网络中硅位置的杂质，其特点是离子半径???Si原子的半径相接近或更小，如P、B、Sb，又称替位式杂质。 ——网络改变者：存在于二氧化硅网络间隙中的杂质，又称间隙式杂质。其特点是离子半径较大，多以氧化物形式掺入，如钠、钾、钙等；;氧; SiO2层在防止硅器件被污染方面起到了一个非常重要的作用。原因是SiO2密度(mìdù)非常高、非常硬，因此硅表面的SiO2层可以扮演一个污染阻挡层的角色。 另一方面， SiO2对器件的保护是源于其化学特性。因为在制造过程中，无论工作室多么洁净，总有一些电特性活跃的污染物最终会进入或落在硅片表面，在氧化过程中， 污染物在表面形成新的氧化层，使得污染物远离了电子活性的硅表面。也就是说污染物被禁锢在二氧化硅膜中，从而减小了污染物对器件的影响。;SiO2也可用来做硅表面和导电表面之间形成的电容所需的介电质（见图）。二氧化硅(èr yǎng huà guī)的介电常数在10kHZ频率下工作时为3-4，击穿电压高，温度系数小，是制作电容器的良好材料。;2.4 用于器件(qìjiàn)的绝缘隔离层 ;二氧化硅膜用于MOS场效应管的绝缘栅介质，在一个MOS三极管中，栅极区会长(huì chánɡ)一层薄的二氧化硅（见图）。这时的SiO2的厚度和质量决定着场效应管的多个电参数，所以对绝缘栅的厚度和质量要求非常严格。;2.6场氧化层field oxide;2.7 器件(qìjiàn)氧化物的厚度 应用在硅材料器件(qìjiàn)中的二氧化硅随着作用的不同其厚度差别是很大的，薄的氧化层主要是MOS器件(qìjiàn)里的栅极，厚的氧化层主要用于场氧化层，下面的表列出了不同厚度范围及其相对应的主要用途。 ;3 热氧化机理 半导体工艺中的二氧化硅大多数是通过热生长氧化法得到的，也就是让硅片（晶园）在高温下，与氧化剂发生反应而生长一层SiO2膜的方法，其化学反应式如Si(s)+O2(g) = SiO2(s) Si(s)+2H2O(g) = SiO2(s)+2H2(g) 化学反应非常简单，但氧化机理并非如此，因为一旦在硅表面有二氧化硅生成(shēnɡ chénɡ)，它将阻挡O2原子或H2O与Si原子直接接触，所以其后的继续氧化是O2