场效应晶体管的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 场效应晶体管的制作方法 1.本发明涉及场效应晶体管。此外，本发明涉及包括这样的场效应晶体管的半导体裸片以及包括这样的半导体裸片的放大器封装。本发明尤其涉及对于每个裸片能够在中高频即介于200mhz到800mhz之间的频率处输出高功率即200w以上的功率的场效应晶体管。背景技术：2.场效应晶体管是本事域公知的。图1a示出了其上布置有场效应晶体管的半导体裸片1。该晶体管包括栅极键合条2，键合线3键合到栅极键合条2，以用于接收输入信号。栅极键合条2衔接到rc滤波器4,rc滤波器4暗示性地示出为栅极键合条2和栅极条5之间的框。3.多个栅极沟道基座6从栅极条5延长。每个栅极沟道基座6衔接到多个栅极沟道7。每个栅极沟道7对应于相应的场效应晶体管元件8。这样的元件还包括漏极沟道9和源极屏蔽13。漏极沟道9衔接到漏极沟道基座10，漏极沟道基座10又衔接到漏极键合条11。键合线12从漏极键合条11延长，以用于输出输出信号。4.场效应晶体管可以体现为横向蔓延金属氧化物半导体‘ldmos’晶体管，其详情是公知的。5.图2a至图2c示出了场效应晶体管元件8的不同视图。图2c示出了标示有两条线a、b的暗示性鸟瞰图，在图2a和图2b中分离描绘了与两条线a、b对应的剖视图。应注重，出于解释的目的，图2a至图2c不是按比例绘制的。6.2a所示，场效应晶体管元件8包括具有p型外延层的p型衬底801。在蔓延p阱802的顶部上实现源极接触803。n型掺杂接触区804存在于源极接触803下方，以减小欧姆接触电阻。可选地，源极接触803可以体现为瘦长源极叉指(未示出)。在其它实施例中，衬底801的顶层在源极接触的位置处被硅化，并省略专用的源极接触层。7.高掺杂p型沟槽805允许源极接触803与半导体裸片1的背侧之间的低欧姆接触，半导体裸片1的背侧通常接地。8.衬底801主要由栅极氧化物层806笼罩，在栅极氧化物层806的顶部上布置有瘦长栅极叉指807。9.n型掺杂漂移区808紧邻p阱802延长直到瘦长漏极叉指809。这里，还用法n型掺杂接触区810来降低欧姆接触电阻。10.通常，用法硅化的多晶硅来实现栅极叉指807和漏极叉指809。对于高功率应用，该材料的电阻率和/或载流能力太低。为此，以金属层堆叠的形式提供较厚的金属层。用法一个或多个通孔实现到金属层堆叠的各层的衔接。例如，用法通孔812实现多晶硅层和第一金属层811之间的衔接，用法通孔814实现第一金属层811和其次金属层813之间的衔接，以及用法通孔816实现其次金属层813和第三金属层815之间的衔接。衔接到栅极叉指807的第三金属层815部分对应于图1a中的栅极沟道7。类似地，衔接到漏极叉指809的第三金属层815部分对应于图1a中的漏极沟道9。此外，衔接到源极接触803的第三金属815部分对应于源极屏蔽13。所示，源极屏蔽13在栅极沟道7和漏极沟道9之间延长，从而充当用于减小栅极?漏极电容的屏蔽。通常，源极屏蔽13接地到衬底。在其它实施例中，省略源极屏蔽。11.栅极叉指807在多个间隔开的位置处电衔接到栅极沟道7。2b所示，用法交叉通孔812、814和816来实现栅极叉指807与栅极沟道7之间的衔接。因为栅极叉指807通常是大约数微米的极短结构，因此这些通孔不从栅极叉指807开头。而是形成朝向源极接触803延长的栅极岛817，且通孔812从栅极岛817延长到第一金属811。所示，p阱802和/或接触区804不存在于栅极岛817下方。这还可适用于接触区810和漂移区808。12.场效应晶体管的增益与频率相关。通常，增益将随着频率上升而降低。这对于应当在较低频率下工作的晶体管可能造成问题。更详细地，在增益仍然较高的低频下，可能浮现不稳定性。13.当晶体管应当输出高功率时，用法高的总栅极宽度。可用法大量平行的栅极叉指和/或用法较宽的栅极叉指来实现高的总栅极宽度。这里注重，栅极叉指是沿着给定方向延长的瘦长结构。术语“栅极宽度”用于表示沿着该给定方向的栅极叉指的尺寸，而术语“长度”用于表示垂直于该给定方向的栅极叉指的尺寸。14.为了削减不稳定性问题，特殊是在高输出功率和较低频率下削减不稳定性问题，用法1a所示的栅极布局。在该布局中，个别栅极叉指不宽以避开不稳定性问题。为了仍然能够满足目标输出功率要求，将无数这样的栅极叉指并联放置。另外，用法与栅极叉指串联布置的rc滤波器。在图1b所示的示例性rc滤波器中，第一电阻器r1与由其次电阻器r2和电容器c1构成的并联衔接串联地布置。该rc滤波器与场效应晶体管所包括的n个场效应晶体管元件有效地串联。15.在低频下，串联的有效电阻等于r1+r2，而在高频下，有效电阻等于r1。因为高的串联