半导体集成电路制造工艺.pdfVIP

一、集成电路的定义：集成电路是指半导体集成电路，即以半导体晶片材料为主，经 热氧化工艺 ： 干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化 互连线在接触孔处的纵向结构 加工制造，将无源元件、有源元件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行 十八、根据器件要求确定氧化方法： 1、高质量氧化：干氧氧化或分压氧化； 2 、厚 电迁移现象：导电材料的质量输运现象，是由在外加电场影响下导体内运动的电子， 某种电子功能的微型化电路。 微型化电路有集成电路、厚膜电路、薄膜电路和混合 层的局部氧化或场氧化：干氧（ 10min ）+ 湿氧 +干氧 (10min) 或高压氧化； 3、低表面态 将其动能传给正金属离子所引起的 电路等多种形式。 氧化：掺氯氧化； 湿氧氧化加掺氯气氛退火或分压氧化 （H2O 或 O2+N2 或 Ar 或 He 等）。 三十三、 钝化膜及介质膜可分为无机玻璃及有机高分子两大类： 二、集成电路的分类： 十九、热氧化过程中硅中杂质的再分布 1 、硅中掺磷 (1)温度一定时，水汽氧化（湿氧 按电路功能分类： 分为以门电路为基础的数字逻辑电路和以放大器为基础的线性电 氧化）导致杂质再分布程度较大，其 NS/NB 大于干氧氧化； (2) 同一氧化气氛下，氧化 氧化物 SiO2 , Al2O3 TiO2 , ZrO2 Fe2O3 , SixOy (SIPOS) 路，还有微波集成电路和光集成电路等。 温度越高，磷向硅内扩散的速度越快，表面堆积现象减小， NS/NB 趋于 1。 2 、硅中 无 , , 按构成集成电路基础的晶体管分类：分为双极型集成电路和 MOS 型集成电路两大类。 掺硼 (1) 温度一定时，水汽氧化（湿氧氧化）导致杂质再分布 程度增大， NS/NB 小 机 硅酸盐 PSG , BSG , BPSG 前者以双极型平面晶体管为主要器件；后者以 MOS 场效应晶体管为基础。 于干氧氧化； (2) 同一氧化气氛下，氧化温度越高，硼向硅表面扩散速度加快，补 三、衡量集成电路的发展 DRAM( 3*107 （集成度） , 135mm2 （外型尺寸） , 0.5 μm 偿了表明杂质的损耗， NS/NB 趋于 1。 看看运动方向 玻 （特征尺寸） , 200mm （英寸）) ， 二十二、热氧化过程 璃 氮化物 Si3N4 , SixNyH , BN , AlN , GaN 四、摩尔定律： IC集成度每 1.5 年翻一番 氢化物 a-Si:H 五、集成电路的发展展望 目标：集成度 ↑、可靠性 ↑、速度 ↑、功耗 ↓