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PAGE PAGE 1 测试结构和测试方法与流程 [0001]本申请涉及存储器领域，详细而言，涉及一种测试结构和测试办法。背景技术：[0002]在具有自旋轨道矩效应(spin orbit torque，sot)或自旋霍尔效应(spin hall effect)的材料中通入电流时，会在材料的界面处产生自旋极化的自旋电流，该自旋电流可以用于翻转纳米磁铁，例如磁性隧道结中的自由层，图1和图2为基于自旋轨道矩提供线10和mtj的存储结构40写入原理图。可以用于存储器件的制备。[0003]作为一种存储器件，写入翻转电压是一个重要参数。[0004]在研发阶段为了拿到器件翻转电压的分布，确保量产阶段产品的功能性，测试样本的选取会较多，目前对多样本翻转电压测试，普通会逐个对样本举行测试，然后对测试数据举行统计分析。[0005]在研发阶段为了得到mtj器件的翻转电压分布，分析mtj的性能及失效机理，会测试大量mtj样品，普通会逐个对样本举行测试，然后对测试数据举行处理分析，得到终于的翻转电压分布。[0006]详细地，现有技术中测量大量mtj器件的翻转电压的办法包括以下步骤：[0007]步骤s101，施加一定幅值和宽度的电压脉冲作用于单个mtj器件；[0008]步骤s102，在较低电压下测量器件的电阻值；[0009]步骤s103，增强施加的脉冲电压幅值，图3为步骤s101以及s102的电压施加时序图，在依次递增的高电压下写入，在低电压下读取阻值，依次重复步骤s101和s102，直到电阻值发生跳变，4所示，记录此时施加的电压即为该器件的翻转电压；[0010]对多个mtj器件重复以上步骤，得到每个器件的翻转电压。统计处理数据即可得到器件的翻转电压分布，5所示。[0011]上述的测试办法需要对多个mtj逐个举行测试，需要举行若干次的iv曲线扫描才干统计得出翻转电压的分布曲线，测试花费时光长。[0012]在背景技术部分中藏匿的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本事域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。技术实现要素：[0013]本申请的主要目的在于提供一种测试结构和测试办法，以解决现有技术中猎取翻转电压的分布曲线所需要的时光较长的技术问题。[0014]为了实现上述目的，按照本申请的一个方面，提供了一种测试结构，包括：起码一个自旋轨道矩提供线；多个阻变器件，各所述阻变器件位于所述自旋轨道矩提供线的表面上，所述阻变器件包括起码一个磁性层；第一测试电极，与起码一个所述自旋轨道矩提供线的第一端电衔接；其次测试电极，与起码一个所述自旋轨道矩提供线的其次端电衔接；第三测试电极，分离与多个所述阻变器件的远离所述自旋轨道矩提供线的一端电衔接。[0015]进一步地，所述自旋轨道矩提供线有多个，且所述阻变器件一一对应地设置在所述自旋轨道矩提供线上。[0016]进一步地，各所述自旋轨道矩的一端分离与所述第一测试电极电衔接，各所述自旋轨道矩的另一端分离与所述其次测试电极电衔接。[0017]进一步地，多个所述自旋轨道矩提供线串联形成自旋轨道矩提供组，所述自旋轨道矩提供组的一端与所述第一测试电极电衔接，所述自旋轨道矩提供组的另一端与所述其次测试电极电衔接。[0018]进一步地，所述自旋轨道矩提供线有一个，各所述阻变器件间隔地设置在所述自旋轨道矩提供线的表面上，所述自旋轨道矩提供线的一端与所述第一测试电极电衔接，所述自旋轨道矩提供线的另一端与所述其次测试电极电衔接。[0019]进一步地，所述自旋轨道矩提供线包括依次衔接的第一自旋段、其次自旋段和第三自旋段，其中，所述第一自旋段和所述第三自旋段平行，所述第一自旋段和第三自旋段在通过电流时电流方向相反。[0020]进一步地，所述第三测试电极有两个，位于所述第一自旋段上的各所述阻变器件与一个所述第三测试电极电衔接，位于所述第三自旋段上的各所述阻变器件与另一个所述第三测试电极电衔接。[0021]进一步地，所述阻变器件为mtj。[0022]为了实现上述目的，按照本申请的另一个方面，提供了一种测试办法，包括：步骤s2，在第一测试电极和其次测试电极之间施加激励电信号，或者在所述第一测试电极和第三测试电极之间施加所述激励电信号；步骤s3，在所述其次测试电极和所述第三测试电极之偶尔者在所述第三测试电极和所述第一测试电极之间施加预定电信号，测试多个阻变器件的电阻，所述预定电信号小于所述阻变器件的随意一个磁性层的翻转电信号；步骤s4，依次重复执行所述步骤s2和所述步骤s3多次，直到所述阻变器件的电阻不再发生变幻，得到第一关系式，所述第一关系式为所述电阻与所述激励