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PAGE PAGE 1 测试结构及其制造方法与流程 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测试结构及其创造办法。背景技术：晶圆验收测试(wattest)是在晶圆完成全部制程工艺后，针对晶圆上的各种测试结构所举行的电性测试。微机电系统(mems)惯性传感器等mems传感器具有将两个晶圆共晶键合的工艺。在顶部晶圆和底部晶圆的划片道中具有测试结构，将顶部晶圆和底部晶圆共晶键合后形成键合后的测试结构，然后可以对键合后的测试结构举行wat测试。然而，本申请的发明人发觉，对键合后的测试结构举行wat测试时，wat测试失败的状况比较多。技术实现要素：本申请的一个目的在于提供一种测试结构及其创造办法，能够充实键合后的焊盘相连的问题，进而充实wat测试失败的问题。按照本申请的一方面，提供了一种测试结构的创造办法，包括：提供顶部晶圆结构，所述顶部晶圆结构包括：顶部晶圆和在所述顶部晶圆的底部彼此间隔开的多个第一焊盘；提供底部晶圆结构，所述底部晶圆结构包括：底部晶圆和在所述底部晶圆的顶部彼此间隔开的多个其次焊盘，相邻的两个其次焊盘中的起码一个其次焊盘的侧面具有绝缘层；将所述多个第一焊盘与所述多个其次焊盘通过共晶键合的方式键合，其中每个第一焊盘与一个其次焊盘键合，从而形成多个焊盘。在一个实施例中，侧面具有绝缘层的其次焊盘具有沟槽。在一个实施例中，所述沟槽的侧壁上具有绝缘层。在一个实施例中，所述沟槽的底部高于所述底部晶圆的顶部。在一个实施例中，每个其次焊盘的侧面均具有绝缘层；所述提供底部晶圆结构的步骤包括：提供所述底部晶圆；在所述底部晶圆上形成焊盘材料层；对所述焊盘材料层举行图案化，以在焊盘区域形成多个初始其次焊盘；在所述初始其次焊盘的侧面形成绝缘层；对所述初始其次焊盘举行刻蚀，以形成所述沟槽，从而形成所述其次焊盘。在一个实施例中，每个其次焊盘的侧面均具有绝缘层；所述提供底部晶圆结构包括：提供所述底部晶圆；在所述底部晶圆上形成焊盘材料层；对所述焊盘材料层举行图案化，以形成具有所述沟槽的所述其次焊盘；在所述其次焊盘的侧面以及所述沟槽的侧壁上形成绝缘层。在一个实施例中，所述第一焊盘所占所述顶部晶圆的面积小于所述其次焊盘所占所述底部晶圆的面积。在一个实施例中，所述沟槽包括多个延长方向基本平行的沟槽。在一个实施例中，所述绝缘层的材料包括下列中的一种或多种：硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物。在一个实施例中，所述焊盘包括两种金属元素；或所述焊盘包括金属元素和半导体元素。在一个实施例中，所述顶部晶圆和所述底部晶圆中的一个中形成有微机电系统传感器。按照本申请的另一方面，提供一种测试结构，包括：顶部晶圆；底部晶圆，位于所述顶部晶圆下方；和多个焊盘，用于衔接所述顶部晶圆和所述底部晶圆；其中，相邻的两个焊盘中的起码一个焊盘的侧面具有绝缘层。在一个实施例中，侧面具有绝缘层的焊盘中嵌入有分隔开的绝缘层。在一个实施例中，焊盘中嵌入的绝缘层的底部高于所述底部晶圆的顶部。在一个实施例中，所述绝缘层的材料包括下列中的一种或多种：硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物。在一个实施例中，所述焊盘包括两种金属元素；或所述焊盘包括金属元素和半导体元素。在一个实施例中，所述顶部晶圆和所述底部晶圆中的一个中形成有微机电系统传感器。本申请实施例中，因为相邻的其次焊盘中的起码一个其次焊盘的侧面形成了绝缘层，因此，可以防止键合后形成的多个焊盘中相邻的焊盘连在一起，充实了wat测试失败的问题。通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的具体描述，本申请的其它特征、方面及其优点将会变得清晰。附图解释附图构成本解释书的一部分，其描述了本申请的示例性实施例，并且连同解释书一起用于说明本申请的原理，在附图中：图1示出了现有的一种测试结构的暗示图；图2是按照本申请一个实施例的测试结构的创造办法的流程暗示图；图3示出了按照本申请一个实施例的顶部晶圆结构的暗示图；图4示出了按照本申请一个实施例的底部晶圆结构的暗示图；图5示出了按照本申请一个实施例的测试结构的暗示图；图6a示出了按照本申请另一个实施例的底部晶圆结构的暗示图；图6b示出了按照本申请又一个实施例的底部晶圆结构的暗示图；图6c示出了具有沟槽的其次焊盘的鸟瞰暗示图；图7a-图7e示出了按照本申请一个实施例的形成图6a所示底部晶圆结构的各个阶段的暗示图；图8a-图8d示出了按照本申请一个实施例的形成图6b所示底部晶圆结构的各个阶段的暗示图；图9示出了按照本申请另一个实施例的测试结构的暗示图；图10a示出了现有的测试结构的测试结果的一个例子；图10b示出了本申请的测试结构的测试结果的一个例子。详细实施方式现在将参照附图来具体描述本申请的各种示例性实施例