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PAGE PAGE 1 测试结构和测试方法与流程 [0001]本申请涉及存储器领域，详细而言，涉及一种测试结构和测试办法。背景技术：[0002]近年来进展快速的磁性随机存储器mram具有优异的特性，比如，克服了sram面积大，尺寸微缩后漏电大的缺点；克服了dram需要向来举行数据刷新，功耗大的缺点；相对flash memory，读写时光和可读写次数优越几个数量级。[0003]虽然具有多项显著优点，但当前mram存储器的核心存储单元普遍采纳具有垂直磁化特性的磁性隧道结，其具有起码3个磁性层，分离为磁存储层、磁参考层以及磁钉扎层。[0004]这些磁性层的功能各不相同，为满足mram各项性能指标，各功能层关键参数如矫顽力场(hc)，耦合场(hex)等需要满足一定的条件。作为一种磁性存储器件，mtj各层磁翻转场体现了其层间耦合强度，稳定性等多种性能，在器件失效分析中也有重要作用，因此，翻转磁场的测试显得尤为重要。[0005]在研发阶段为了得到mtj器件的磁翻转场分布，分析mtj的性能及失效机理，会测试大量mtj样品，普通会逐个对样本举行测试，然后对测试数据举行处理分析。[0006]详细地，现有技术中测量大量mtj器件的电阻随磁场变幻关系(r_h)曲线：[0007]步骤s1，对每个mtj施加外磁场，从hstart扫描到hend，再从hend扫描到hstart得到一条r_h曲线，猎取mtj状态变幻对应的磁场值hi(下标i代表第i次测试)；[0008]步骤s2，重复步骤s1，测试n个mtj的电阻随磁场变幻关系(r_h)曲线，1所示；[0009]步骤s3，处理数据得到大量mtj hc概率分布曲线，2所示。[0010]上述的测试办法需要对多个mtj逐个举行测试，需要举行若干次的r-h曲线扫描才干统计得出磁翻转场的分布曲线，测试花费时光十分长。另外，举行该项测试必需保证做好mtj上下电极，需要的工艺步骤多，反馈时光长，不利于材料和器件研发的迅速迭代。[0011]在背景技术部分中藏匿的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本事域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。技术实现要素：[0012]本申请的主要目的在于提供一种测试结构和测试办法，以解决现有技术中猎取翻转磁场、翻转电流或者翻转电压的分布曲线所需要的时光较长的问题。[0013]为了实现上述目的，按照本申请的一个方面，提供了一种测试结构，用于测试包括多个阻变器件的存储阵列，包括：存储阵列，包括多个阻变器件，各所述阻变器件包括起码一个磁性层；第一导电层，与起码部分所述阻变器件接触设置，所述第一导电层的长度延长方向为第一方向，所述第一方向与所述阻变器件的厚度方向垂直；其次导电层，与所述第一导电层电衔接，所述其次导电层的延长方向为其次方向，所述其次方向与所述第一方向之间垂直，且所述其次方向与所述阻变器件的厚度方向垂直。[0014]进一步地，所述测试结构还包括：第一电极对，包括两个第一电极，各所述第一电极分离与所述第一导电层电衔接；其次电极对，包括两个其次电极，各所述其次电极分离与所述其次导电层电衔接。[0015]进一步地，所述测试结构还包括多个互联结构，多个互联结构包括多个第一互联结构和多个其次互联结构，其中，一个所述第一互联结构位于所述第一导电层和一个所述第一电极之间，所述第一导电层通过所述第一互联结构与一个所述第一电极电衔接，一个所述其次互联结构位于所述其次导电层和一个所述其次电极之间，所述其次导电层通过所述其次互联结构与一个所述其次电极电衔接。[0016]进一步地，起码部分所述互联结构包括沿远离存储阵列的方向设置的且衔接的导电通孔和互联金属层，所述互联金属层与所述第一电极或者所述其次电极衔接。[0017]进一步地，所述测试结构还包括：绝缘介质层，所述存储阵列、所述第一导电层、所述其次导电层和所述互联结构均位于所述绝缘介质层中。[0018]进一步地，各所述阻变器件包括依次叠置的底电极、存储部以及顶电极，所述第一导电层和所述其次导电层均位于第一表面上，或者，所述第一导电层和所述其次导电层均位于其次表面上，所述第一表面为所述底电极的远离所述存储部的表面，所述其次表面为所述顶电极远离所述存储部的表面。[0019]进一步地，起码部分所述阻变器件设置在所述第一导电层内，起码部分所述阻变器件设置在所述其次导电层内。[0020]进一步地，所述第一导电层有两个，所述其次导电层有两个，一个所述第一导电层和一个所述其次导电层均位于第一表面上，另一个所述第一导电层和另一个所述其次导电层均位于其次表面上。[0021]