模拟电子技术基础：2-6,7 场效应管放大电路.pptVIP

§ 2.7 多级放大电路及频率特性 耦合——级与级之间的联接方式 2.7.1 多级放大电路的耦合方式 变压器耦合 阻容耦合 直接耦合 32 1、阻容耦合 + _ + RB1 RB2 RC1 + + RC2 + + 33 2、直接耦合 特点：适合放大变化缓慢的信号，易于集成。 但存在问题要克服 RC1 RC2 34 1、静态分析 二、阻容耦合电路的分析 + _ + RB1 RB2 RC1 + + RC2 + + 由于电容的隔直作用，各级单独分析 35 + _ + RB1 RB2 RC1 + + RC2 + + 第一级： 第二级的分析完全类似于第一级 36 2、动态分析 Au1 Au2 推广到多级： 37 * 在计算每一级的放大倍数时，要考虑前后级的相互影响 注意： 38 Au2 Ⅱ 39 Au1 Au2 Ⅱ Ⅰ + _ 级间关系—— 后级的ri等效为前级的RL + Ⅱ + _ Ⅰ ri2 _ 40 + _ + RB1 RB2 RC1 + + RC2 + + + + _ _ _ + 41 基本放大电路的组成及工作原理 放大电路分析 场效应管 静态分析 动态分析 射极输出器 差动放大电路 功放电路 静态工作点的稳定 多级放大电路 负反馈 1 2-6 场效应管放大电路 场效应管： 输入电阻高（电压控制型器件），稳定性好 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 2 一、绝缘栅型场效应管（MOS管） Metal-Oxide Semiconductor ( 金属氧化物半导体 ) 3 1、 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 P型硅衬底 S G D (1) 结构及原理 以P型硅为衬底，在其表面上覆盖一层SiO2 作绝缘层，再在该层上刻出两个窗口，形成两个高掺杂的N型区（用N+表示） 在两个N型区上分别引出源极S和漏极D，同时在D与S之间的SiO2 表面制作一个金属电极——栅极G SiO2 层 G S D 栅Gate 漏Drain 源Source 4 当 UGS =0时，无论加上什么样的UDS ，D、S之间总有一 个PN结反偏，因此 ID=0 G S D 显而易见，D、S之间形成了两个背靠背的PN结 ID S D N P N P型硅衬底 S G D S D N P N 5 当 UDS =0， UGS 0 时，栅极 的金属板与P型硅衬底之间 形成了一平板电容器。 由于绝缘层（ SiO2）很薄，很小的UGS 就能产生很强的 电场（方向垂直向下），该电场吸引P型硅衬底中的电子 （少子）到表层，与空穴复合形成由负离子组成的耗尽层 P型硅衬底 S G D 耗尽层 _ _ _ 6 P型硅衬底 S G D _ _ _ 耗尽层 如果增强UGS 即增强电场，由于吸引了更多的电子，在耗尽层与SiO2之间形成一个N型层——反型层 该反型层即为沟通源区与漏区的N型导电沟道。 把开始形成导电沟道时所需的UGS 称为开启电压UGS （th) N沟道 7 P型硅衬底 S G D N沟道 导电沟道形成后，加上一定的UDS 将产生ID （管子导通） ID 注意此时IG =0 IG 8 A、转移特性曲线 （2） 特性曲线 UGS（V） ID/mA UDS=常数 2 UGS（th） 无 有沟道 4 8 12 16 G S D ID 9 UGS（V） ID/mA UDS=常数 2 UGS（th） 4 8 12 16 UGS 对ID 控制作用可用 gm 表示 gm 称为场效应管的跨导——UGS对ID的控制能力。 即为曲线上工作点的切线的斜率 10 B、输出特性曲线 UGS=3V 4V 5V 6V UDS / V ID/mA 4 8 12 16 4 8 12 I区 II 区 II 区为放大区 G S D ID 11 2、 N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 G S D P型硅衬底 S G D + + + N沟道 通过一定工艺使管子本身就具有一定的导电沟道 12 转移特性曲线 UGS/V ID/mA UGS（off） -4 IDSS UGS（off）——夹断电压 IDSS——零偏电流 该类管子一般工作在负栅源电压(UGS(off) UGS0) 状态下 G S D 13 输出特性曲线 UGS=0V -1V 1V 2V UDS / V ID/mA 4 8 12 16 4 8 12 I区 II 区 II 区为放大区 14 增强型与耗尽型的区别：有无原始导电沟道 UGS/V ID/mA UGS（off） -4 IDSS G S D UGS（th） UGS（V） ID/mA 2 4 8 12 16 G S D 15 P沟道型