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半导体的基本知识教课设计 半导体的基本知识教课设计 PAGE / NUMPAGES 半导体的基本知识教课设计 第一章 半导体二极管 1-1 半导体的基本知识 教课目标： 1、认识半导体导电性及特色。 2、初步掌握 PN 结的基本特征及非线性的实质。 3、熟习二极管外形和电路符号，伏安特征和主要参数。 4、认识特别功能的二极管及应用。 教课要点、难点： 教课要点： 1）半导体导电性及特色。 2） PN 结的基本特征及非线性的实质 3）二极管外形和电路符号，伏安特征和主要参数。 教课难点 ：二极管外形和电路符号，伏安特征和主要参数 一、半导体的基本观点 人们依据物质导电性能， 往常将各样资料分为导体、 绝缘体和半导体三大类。 导电性能优秀的物质称为导体，比如金、银、铜、铝等金属资料。另一类是几乎不导电的物质称为绝 缘体， 比如陶瓷、橡胶、塑料等资料。 再一类是导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，比如硅 (Si)、锗 (Ge)、砷化镓等都是半导体。 纯净半导体也叫本征半导体， 这类半导体只含有一种原子， 且原子按必定规律齐整摆列。如常用半导体资料硅（ Si）和锗（ Ge）。在常温下，其导电能力很弱；在环境温度高升或有 光照时，其导电能力随之加强。 经常在本征半导体中掺入杂质， 其目的不纯真是为了提升半导体的导电能力， 而是想经过控制杂质掺入量的多少，来控制半导体的导电能力的强弱。 在硅本征半导体中，掺入微量的五价元素 (磷或砷 )，就形成 N 型半导体。 在硅本征半导体中，掺入微量的三价元素 (铟或硼 )，就形成 P 型半导体。 二、 PN 结及单导游电性 1、当把一块 P 型半导体和一块 N 型半导体用特别工艺紧 编写版 word 密联合时，在两者的交界面上会形成一个拥有特别现象的薄层，这个薄层被称为 PN 结。 2、 PN 结的单导游电性 1） PN 结加正向电压――正导游通 正极接Ｐ区，负极接Ｎ区，称“正向偏置”或正偏。 ２） PN 结加反向电压――反向截止 电源负极接Ｐ区，正极接Ｎ区，称“反向电压”或反偏。 ＰＮ结加正向电压导通，加反向电压截止，即ＰＮ结的――单导游电性 §1-２ 半导体二极管 一、二极管的构造、符号和分类 1. 二极管的构造、符号 晶体二极管是由一个 PN 构造成的，从 P 区引出的电极为二极管正极， N 区引出的电 极为二极管负极，用管壳封装起来即成二极管。 二极管的符号用Ｖ表示 编写版 word ２、二极管的分类 叙述书籍上的表１－２ 二极管的命名方法 由五部分构成，见书籍Ｐ４解说 我国半导体器件的型号是依据它的资料、 性能、类型来命名的， 一般半导体器件的型号由五部分构成。 第一部分——用阿拉伯数字表示器件的电极数目； 第二部分——用汉语拼音字母表示器件的资料和极性； 第三部分——用汉语拼音字母表示器件的种类； 第四部分——用阿拉伯数字表示器件序号； 第五部分——用汉语拼音字母表示规格号。 二、二极管的伏安特征 正向特征（图中 OAB 段） 当二极管两头所加的正向电压由零开始增大时，在正向电压比较小的范围内，正向电流很小，二 极管体现很大的电阻，如图中 OA 段，往常把这个范围称为死区，相应的电压叫死区电压。硅二极管的死 区电压为 0.5V 左右，锗二极管的死区电压约为 0.1～ 0.2V。 ② 外加电压超出死区电压此后， 二极管体现很小 的电阻，正向电流 ID 快速增添，这时二极管处于正导游通状态，如图中 AB 段为导通区， 此时管子两头电压降变化不大，该电压值称为正向压降 (或管压降 )，常温下硅管约为 0.6～ 0.7V，锗管约为 0.2～ 0.3V。 反向特征 （图中 OCD 段） 当给二极管加反向电压时，所形成的反向电流是很小的，并且在很大范围内基本不 编写版 word 随反向电压的变化而变化，即保持恒定。如曲线 OC 段称为反向截止区，此处的 IR 称为反 向饱和电流。 ② 当反向电压大到必定数值 UBR 时，反向电流会急剧增大，如图中 CD 段，这类现象 称为反向击穿，相应的电压叫反向击穿电压。正常使用二极管时（稳压二极管除外） ，是不 同意出现这类现象的，由于击穿后电流过大将会使管子破坏。 三、二极管的主要参数 选择二极管时主要考虑以下三个参数；最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流。 1、最大整流电流 IFM 是二极管同意经过的最大正向工作电流的均匀值。 照实质工作时的正向电流均匀值超出 此值，二极管内的 PN 结可能会过散发热而破坏。 2、最高反向工作电压 URM 是二极管同意蒙受的反向工作电压的峰值。 为了留有余量， 往常标定的最高反向工作电 压是反向击穿电压的一半或三分之一。 3、反向漏电流 IR 是在规定的反向电压和环境温度下测得的二极管反向电流值。