原子物理学课件：talk1.pptVIP

对于三个Co原子，有着类似的结果，能量最低的吸附位置如图示②结构，Co原子移动的势垒也接近了1eV。 三个Co原子的local spin也存在着铁磁耦合的作用。(见spin density) 由此可见，Co原子和MoS2能结合的比较好，而且三个Co原子能形成比较稳定的铁磁组合。 * 我们还进一步看了一下Co全覆盖的情况，发现体系是铁磁耦合的（这种情况下没有得到反铁磁的稳定态）, M=0.86μB/unit 从spin density和DOS上都能看到Co和S、Mo之间有着很强的轨道耦合，特别是材料的自旋劈裂形成了特殊的半金属性，有可能实现自旋过滤器件。 * 为了确认这一半金属性质，我们建立了右上图所示的模型，利用基于非平衡态格林函数理论的tran-siesta软件包计算了这一材料的透射谱和I-V曲线。我们选择了有代表性的两个方向，ZZ和AC，从透射谱和I-V曲线来看，不同的两个方向上都有着类似的非常强的自旋过滤特性，在自旋向下和向上的两个通道上展现了导体和半导体两种明显不同的传导行为。（为了计算的简便，我们这里没有去讨论和计算电极对材料的影响，只是关注了材料本身的性质。） * 考虑到Co的密度增加以后，表面单层膜可能很难稳定住，实际应用的时候上面需要覆盖一层保护膜。最后，我们在计算中考虑了表面覆盖一层Graphene的情况。 计算后发现Gr由于和衬底的mismatch，出现了微小的起伏，因此在某些区域和Co结合的比较紧密，某些区域比较松散。在磁性方面，体系仍旧是稳定的FM耦合，而且单位面积的磁矩还有所增加，这是由于Gr的存在一方面加强了Co之间的耦合，另一方面C原子的部分电子也被极化，从而增加了材料整体的磁矩。 从DOS看，这种结构还是能维持半金属的性质，因此我们设计了一种基于这类二维异质结材料的自旋输运器件，预测能在自旋电子器件进一步小型化的发展中有一些应用。 * * Test * 从态密度上来看，三个Co的情况和一个Co的类似，只是原本MoS2带隙间Co的态密度增加了，Co和S、Mo原子在费米面附近的耦合也能更清楚的展现出来了，这种耦合能加强磁性原子和基底半导体材料之间的磁性注入效率。 既然三个Co形成的铁磁组合很稳定，那我们想看看两组这样的Co之间的耦合情况如何。我们发现，当它们距离很近时（右下图），它们之间的FM耦合也是比较稳定的；而当它们离得比较远的时候，相互的耦合作用一下变得非常弱。 这种性质其实是我们希望看到的。特别是对于磁存贮来讲，我们希望相邻存储单元之间的耦合要弱一些，这样能实现独立的磁性翻转来存储和读取数据。同时我们也需要在同一存储单元内部能有稳定的铁磁耦合来实现数据存储的稳定性。 我们模拟了右下图结构的电子衍射图，Co和Mo的比例大概是1:2，能得到和实验上再Bi2Se3层间掺杂Co时类似的结果。 * One Co atom on MoS2 surface M=0.92?B M=1.86?B Two Co atoms on MoS2 surface M=2.83?B Three Co atoms on MoS2 surface Energy(eV) Energy(eV) Density of states(states/eV) Spin density M=0.86?B/unit Magnetic properties of full Co-covered MoS2 Half-metal Spin-dependent transmission spectrum of ML-Co/MoS2 in zigzag direction with zero bias. Spin-dependent I-Vbias curves in both zigzag and armchair directions Spin transport of ML-Co@MoS2 Source Drain Density of states(states/eV) Energy(eV) Spin density M=1.0?B/unit Graphene covered Co-MoS2 nanosheet Concluding remarks We predict a new 2D half-metallic Co/MoS2 hetero-structure with robust ferromagnetic state and 100% spin current polarization, which is possible to synthesize via a wetting deposition of Co atoms on MoS2 experimentally. Twisted and non-twisted Gr/M