Cu2O_WO3复合材料的制备及光电化学性能的研究.pdfVIP

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2021-11-20 发布于江西
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Cu2O_WO3复合材料的制备及光电化学性能的研究.pdf

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摘要氧化亚铜（Cu O ）是一种禁带宽度较小的p 型半导体材料，具有良好的光催化 2 性能，广泛用于光催化领域。然而，Cu O 的光生电子-空穴容易复合，导致光催化 2 活性较低。因此，如何降低Cu O 中光生电子-空穴的复合一直是提高其光催化活性 2 的关键问题。本研究通过半导体复合和降低Cu O 晶粒尺寸来提高Cu O 的光催化 2 2 活性。本研究采用阳极氧化法制备纳米Cu O 和Cu O/WO 复合半导体薄膜，研究了 2 2 3 电压、温度、时间、电解液浓度以及退火等工艺参数对样品形貌和性能的影响，通过XRD 、EDS、SEM、TEM、UV-vis 光谱、I-t 、Mott-Schottky、EIS 等分析测试手段对Cu O 和Cu O/WO 复合半导体的结构和性能进行了表征。研究结果表明：采 2 2 3 用阳极氧化法在碱性和酸性溶液中均可以得到纳米Cu O/WO 复合半导体，半导体 2 3 复合可以有效提高 Cu O 半导体材料的光电流密度和载流子浓度，从而提高 Cu O 2 2 的光催化活性。在KOH 溶液中10 V 电压下阳极氧化后再经350 ℃退火处理，得到 2 了颗粒结构的Cu O/WO 复合薄膜，其光电流密度达到最大值为1.977 mA/cm ，是 2 3 纯Cu O 薄膜的49 倍。在HNO 溶液中0.6 V 电压下阳极氧化后再经400 ℃退火处 2 3 理，制备出了纳米片状结构的Cu O/WO 复合半导体薄膜，其光电流密度达到0.68 2 3 2 mA/cm ，是纯Cu O 薄膜的17 倍。与纯Cu O 半导体薄膜相比，Cu O/WO 复合半 2 2 2 3 导体薄膜大大增加了复合薄膜中的光电流密度和载流子浓度，提高了 Cu O 的光催 2 化活性。关键词：阳极氧化氧化亚铜氧化钨复合半导体光电化学性能 I 目录摘要 I Abstract II 1 引言1 2