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化学气相淀积 教学目的： 1 了解化学气相淀积概念 2 了解化学气相淀积系统和方法 3 了解外延的概念和生成方法 4 掌握 CVD 质量检测 教学重点： 化学气相淀积系统和方法、外延的概念和生成方法、 CVD 质量检测 教学难点： 外延的概念 教学过程： 5.1 引言 5.1.1 薄膜淀积的概念 所谓薄膜，是指一种在硅衬底上生长的薄固体物质。薄膜与硅片 表面紧密结合，在硅片加工中，通常描述薄膜厚度的单位是纳米（ nm ）。半导体制造中的薄 膜淀积是指在硅片衬底上增加一层均匀薄膜的工艺。 在硅片衬底上淀积薄膜有多种技术， 主 要的淀积技术有化学气相淀积 （CVD ）和物理气相淀积 （PVD ），其他的淀积技术有电镀法、 旋涂法和分子束外延法。 化学气相淀积 (CVD) 是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并 使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺。而物理气相淀积（ PVD ）是不需通过化学反应， 直接 把现有的固体材料转移至硅片表面形成薄膜的工艺。 电镀法是制备铜薄膜时主要采用的淀积 技术。旋涂法采用的设备是标准的旋转涂胶机，比 CVD 工艺更经济，通常用于制备低 k （k 指介电常数）绝缘介质膜。 分子束外延法是一种制备硅外延层的较先进的淀积技术。 5.1.2 常用的薄膜材料 在半导体制造中所包含的薄膜材料种类很多，早期的芯片大约含 有数十种，而随着集成电路结构和性能的发展，芯片中薄膜材料种类也越来越多，如图 5?1 所示， 这些薄膜材料在器件中都起到了非常重要的作用。 总的来说， 薄膜材料的种类可分为 金属薄膜层、绝缘薄膜层和半导体薄膜层三种。 早期和现代 MOS 结构中的各层薄膜 1) 金属薄膜层在半导体制造中的应用主要是制备金属互连线。 2) 常见的绝缘薄膜材料有二氧化硅 (SiO2) 、掺杂二氧化硅 (如 PSG、BPSG) 、氮化硅 (Si3N4) 等。 3) 半导体薄膜材料主要有多晶硅、外延硅层等。 5.1.3 半导体制造中对薄膜的要求 在图 5? 1 中给出了制作一个早期 NMOS 管所需的淀积 层。图中器件的特征尺寸远大于。由于特征高度的变化， 硅片上的各层薄膜并不平坦， 质量 不高。 这成为超大规模集成电路时代所需的多层金属、 高密度芯片制造的限制因素。 随着硅 片加工向更高的芯片密度发展，特征尺寸缩小到 0．18 μm 甚至更小，而且需要用到 6 层甚 至更多层金属来做连接。这使得在硅片上可靠地沉积符合要求的薄膜材料至关重要。 1.良好的台阶覆盖能力 2. 填充高的深宽比间隙的能力 薄膜的台阶覆盖 高深宽比通孔填充效果比较 3. 良好的厚度均匀性 4. 高纯度和高密度 5. 高度的结构完整性和低的膜应力 薄膜中晶粒的成核与生长过程 膜应力导致硅片衬底发生变形 6. 对衬底材料或下层膜良好的粘附性 5.2 化学气相淀积 5.2.1 化学气相淀积的概念 化学气相淀积（ CVD ）是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其淀积在硅片表面 形成薄膜的工艺。 反应产生的其他副产物为挥发性气体， 离开硅片表面并被抽出反应腔。 硅 片表面及其邻近的区域被加热以向反应系统提供附加的能量。 5.2.2 化学气相淀积的原理 化学气相淀积工艺的反应在炉管反应腔内进行，同时必须使化 学反应发生在硅片表面或者非常接近表面的区域 （表面催化），这样可以生成高质量的