5化学气相淀积详解.pdfVIP

  • 30
  • 0
  • 约5.33千字
  • 约 11页
  • 2021-11-20 发布于上海
  • 举报
化学气相淀积 教学目的: 1 了解化学气相淀积概念 2 了解化学气相淀积系统和方法 3 了解外延的概念和生成方法 4 掌握 CVD 质量检测 教学重点: 化学气相淀积系统和方法、外延的概念和生成方法、 CVD 质量检测 教学难点: 外延的概念 教学过程: 5.1 引言 5.1.1 薄膜淀积的概念 所谓薄膜,是指一种在硅衬底上生长的薄固体物质。薄膜与硅片 表面紧密结合,在硅片加工中,通常描述薄膜厚度的单位是纳米( nm )。半导体制造中的薄 膜淀积是指在硅片衬底上增加一层均匀薄膜的工艺。 在硅片衬底上淀积薄膜有多种技术, 主 要的淀积技术有化学气相淀积 (CVD )和物理气相淀积 (PVD ),其他的淀积技术有电镀法、 旋涂法和分子束外延法。 化学气相淀积 (CVD) 是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并 使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺。而物理气相淀积( PVD )是不需

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档