太阳能电池效率极限.pptxVIP

会计学;复习;1 太阳能发电原理和影响因素;1.1 光的吸收与载流子复合;光子的能量越高，被吸收的位置就越接近半导体表面，较低能量的光子则在距半导体表面较深处被吸收。 ;Resource Characteristics ——地面附近太阳辐射光谱图;The absorption depths of silicon ;单位体积内电子-空穴对的产生率可用下式表示： N为光子的流量（每秒流过单位面积的光子数量），α是吸收系数，x是到表面的距离。 ;在300K时，对于硅材料，α和波长的函数关系;1.1 光的吸收与载流子复合;类似的，载流子的扩散长度就是载流子从产生到复合所能移动的平均距离。对于硅，扩散长度一般是100~300μm。 这两个参数为太阳能电池应用的材料提出参考。 如果没有一个使电子定向移动的方法，半导体就无法输出能量。因此，一个功能完善的太阳能电池，通常需要增加一个整流P-N结来实现。 ;1.2 光照的影响 ;在P-N结电场E的作用下，电子受力向N型一侧移动，空穴受力向P型一侧移动。短路时，在外电路产生光电流。;尽管如此，一部分电子和空穴在被收集之前就已经消失了。 ;总体来说，在P-N结越近的地方产生的电子空穴对越容易被收集。当V=0时，那些被收集的载流子将会产生一定大小的电流。如果电子空穴对在P-N结附近小于一个扩散长度的范围内产生，收集的几率就比较大。 ;在无光照的