半导体物理学期末复习试题及答案一(word文档).docVIP

一、 选择题 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 ）。 A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 受主杂质电离后向半导体提供（ ），施主杂质电离后向半 导体提供（ ），本征激发向半导体提供（ ）。 A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子 对于一定的 型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ ）。 A. 上移 B. 下移 C. 不变 在热平衡状态时， 型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ ）有关 A. 杂质浓度和温度  B.  温度和禁带宽度 C. 杂质浓度和禁带宽度  D. 杂质类型和温度 结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 ）。 相同 B. 不同 C. 无关 空穴是 。 A. 带正电的质量为正的粒子 B. 带正电的质量为正的准粒子 C. 带正电的质量为负的准粒子 D. 带负电的质量为负的准粒子 砷化稼的能带结构是（ ）能隙结构。 A. 直接 B. 间接 将  掺杂入  中，若  取代  则起（  ）杂质作 用，若  取代  则起（  ）杂质作用。 A. 施主  B.  受主  C.  陷阱  D.  复合中心 在热力学温度零度时， 能量比 EF 小的量子态被电子占据的概率为 ），当温度大于热力学温度零度时， 能量比 EF 小的量 子态被电子占据的概率为（ ）。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 等于 E. 等于 如图所示的 型半导体 结构的 特性图中， 段代表 （ ）， 段代表（ ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 型半导体发生强反型的条件（ ）。 A. B. C. D. 金属和半导体接触分为： （ ）。 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照 忽 然 停 止 t后 ， 其 中 非 平 衡 载 流 子 将 衰 减 为 原 来 的 （ ）。 A. B. C. D. 载流子的漂移运动是由（ ）引起的，反映扩散运动强 弱的物理量是（  ）。 A. 电场  B.  浓度差  C.  热运动  D.  E. D P  F. 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：  （  ）。 A. 声学波散射和光学波散射 B. 声学波散射和电离杂质散射 C. 光学波散射和电离杂质散射 D. 光学波散射 二、 证明题 对于某 n 型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米 能 级 之 上 。 即 EFn Ei 。 三、 计算画图题 三 块 半 导 体 Si 室 温 下 电 子 浓 度 分 布 为 ， n01 1.0 1016 cm 3 , n02 1.0 1010 cm 3 , n03 1.0 104 cm 3 , （ ， ， ， ＝ ＝ ）则 （1）、计算三块半导体的空穴浓度 （2）、画出三块半导体的能带图 （3）、计算出三块半导体的费米能级相对与 EC或 EV 的位置 （要求 n 型半导体求 EC －EF，p 型半导体求 EF－Ev ）（15 分） 室温下，本征锗的电阻率为 47 cm，试求本征载流子浓度。 若锗原子的浓度为 4.4 10 22 cm 3 ，掺入施主杂质，使每 106 个锗原子中有一个杂质原子， 计算室温下电子浓度和空穴浓度 (设杂质全部电离 ) 。试求 该掺杂 锗材料的 电阻率 。设 ， 且认为不随掺杂而变化。 若流过样品的电流密度为 52.3mA/ cm2 ，求所加的电场强度。 画出金属和 N 型半导体接触能带图（ Wm Ws ，且忽略间隙），并分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。 如图所示，为 P 型半导体 MIS 结构形成的能带图， 画出对应的电荷分布图。（6 分） 5. 光均匀照射在电阻率为 6 cm的 n 型 Si 样品上，电子－空穴对 的产生率为 4×10 21 cm -3 s -1 ，样品寿命为 8μs 。试计算光照前后样品的电导率。（ ， ）