第一章半是导体器件工艺学综述.pptVIP

* 三、发展趋势 IC发展的标志：尺寸 集成度 摩尔定律: 1964年 戈登·摩尔 内容：芯片上的晶体管数每18个月翻一番（1975年） 物理极限：一个原子尺寸约为几个A，若干原子形成一个器件。 光刻技术 §1-2集成电路分类 按器件导电类型： 双极型、MOS型、双极—MOS型 按器件功能分类： 数字、模拟 §1-3集成电路工艺基础 一、集成电路的材料 1.制造材料 导体：作互连线，阻挡层，接触孔，通孔　　如：Al Cu，Ta Ti 及其氮化物 , W 绝缘体：作介质层，保护层，钝化层 如 ：SiO2 低Ｋ介质 高Ｋ介质，Si3N4 半导体： Ge Si GaAs GaN 掺杂 2.重要的半导体材料——硅 Si 硅的丰裕度 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 硅1412℃ 锗937 ℃ 更宽的工作温度范围 氧化物 SiO2 二、微芯片制造工艺流程 制备硅片 硅片制造 硅片测试/拣选 装配与封装 终测 1.制备硅片 半导体级硅提炼 单晶生长 整形、切片等 2.硅片制造 在其表面形成器件和互连线（层）的过程 薄膜生长：氧化 淀积 外延 图形转换：光刻 刻蚀 掺杂：热扩散 离子注入 　其他技术：清洗 平坦化等 3.硅片测试/拣选 4.装配与封装 划片，切割成芯片 压焊和包封 5.终测 确保集成电路通过电学和环境测试 §1-4微芯片的制造环境 沾污 导致成品率损失 80%失效芯片是由沾污带来的缺陷引起的 维护一个严格的微芯片制造环境很重要 净化技术 一、沾污类型 颗粒　 　危害　检测 金属杂质 可动离子沾污（MIC），典型的MIC：Na+ 有机物沾污 自然氧化层 静电释放 击穿 电荷积累吸引颗粒 颗粒造成的缺陷 二、污染源与控制 空气 人 净化间 厂房 水 工艺用化学品 工艺气体 生产设备　 *