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第六章 光电探测技术基础 光电探测技术 主要内容 • 光电探测及其发展历程 • 光电探测器性能参数 • 光电探测方式 • 光电探测的物理效应 • 光电探测器件 光电探测器件 主要内容 • 光电探测器分类 • 热电型探测器 • 光电导探测器 • 光电倍增管 • 光伏型探测器 • 雪崩光电二极管 光电探测器——1.分类 • 根据探测器结构形式 • 单元探测器 • 多元探测器（由线阵发展为面阵） • 根据探测方式 • 直接探测 • 外差探测 • 根据光电探测物理效应 • 光电发射型 • 光电导型 • 光伏型 • 热电型 • 波相互作用型 光电探测器——1.分类 光电探测器——1.分类 体光电导元件 − − 结光电二极管、CCD 常 − − 光电二极管 用 光电导型 肖特基势垒光电二极管 光 − − ， − − 结光敏晶体管 电 + − − +雪崩光电二极管 探 光电探测器 光电管、光电倍增管、摄像管 测 Si光电池 器 光伏型 单晶 − 结太阳能电池 件 非晶半导体太阳能电池 分 热敏电阻 类 热电偶、热电堆 热电型 热传导体 热释电器件 光电探测器——2.光电导型探测器 • 定义： 利用光电导效应工作的光电探测器，常称光导管或光敏电阻 光照改变自身电阻率，且光照越强器件电阻率越小 光敏电阻的结构和偏置电路 光敏电阻 光电探测器——2.光电导型探测器 • 特性： 一般都为体结构，阻抗呈阻性，没有极性，且灵敏度 较高，具有内电流增益G，响应速度则一般较慢。 • 应用： 电子电路、仪器仪表、光电控制、计量分析、光电制导、 激光外差探测等 • 常用材料： Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体类烧结体：CdS 、CdTe 、PbS III—Ⅴ族化合物半导体晶体： InSb (锑化铟) 、GaS等 Ⅳ族半