2022年光通信芯片行业发展报告.pptx

2022年光通信芯片行业发展报告 汇报： 部门： 日期： 行业概述 光通信芯片分为激光器芯片以及探测器芯片，分别具有电光信号转换以及光电信号转换功能，是光模块最核心的功能芯片。激光器芯片以及探测器芯片通过封装形成光发射组件以及光接收组件（光发收组件）。光发收组件、电芯片以及结构件等最终封装成光模块。从生产流程看，光通信产业链环节众多，工艺流程较为复杂，包括芯片设计、基板制造、磊晶成长、晶粒制造四个环节:（1）芯片设计:用芯片设计软件根据特定的芯片功能要求制作光电线路图；（2）基板制造:GaAs/InP材料经提纯、拉晶、切割、抛光、研磨制成单晶体衬底即基板；（3）磊晶生长:根据设计图，用基板和有机金属气体在MOCVD(金属有机物化学气相沉积）/MBE（分子束外延）设备里长晶，制成外延片（Wafer）；（4）晶粒制造:对外延片进行光刻等系列处理，制成电路功能完整的可封装晶粒。  光通信芯片定义 目录 / CONTENTS 01 02 03 04 05 光通信芯片行业概述 光通信芯片行业环境 光通信芯片行业现状 光通信芯片行业发展趋势 光通信芯片行业格局及企业 第一章 光通信芯片行业概述 行业发展历程 970年 美国康宁公司根据高琨的设想首先制出20dB/Km的光纤，虽然只有几米长，寿命只有几个小时，但是证明怎么降低光纤损耗是可行的，标志着光纤通信系统的实际研究条件得以具备，光通信的发展进入了一个蓬勃发展的阶段。同年BellLab研制成功温室下连续连续振高的半导体激光器。 80年代初开始 单模光纤和量子阱激光器问世； 90年代中后 EDFA和DFB问世以及单模低损耗光纤的发展，是它的标志性成果； 21世纪 这个阶段最大的成果体现是DWDM与DFB的商业化； 行业产业链 GaAs系芯片衬底、InP系芯片衬底、光刻机、刻蚀机、外延设备、其他设备 中国第一梯队企业、国际第一梯队企业 光模块、通信设备 光通信芯片上游主要参与者包括设备以及材料供应商。光通信芯片采用III-V族元素化合物半导体为衬底，生产设备包括光刻机、刻蚀机以及外延设备等。产业链中游光通信芯片企业为下游光模块厂商提供激光器芯片以及探测器芯片。下游光模块企业将光通信芯片、电芯片以及其他结构性部件封装为光模块从而实现真正意义上的光电信号的转换。光通信芯片以及光模块主要应用在通信设备以及数据中心市场。 产业链分析 上游 光通信芯片企业采用高频性能突出的GaAs以及InP化合物半导体为光通信芯片的衬底。GaAs以及InP可被制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作衬底具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，符合5G通信高频的特点，因而在光通信芯片领域得到重要应用。InP衬底:InP衬底的主流尺寸是2-6英寸，市场集中度较高，全球超过80%的市场份额由日本住友电工和美国AXT两家公司占有。中国仅有极少数厂商或科研单位可制造InP衬底，包括鼎泰芯源、北京世纪金光、云南锗业、广东天鼎思科新材料、广东先导半导体材料、深圳泛美、南京金美镓业等。其中珠海鼎泰芯源与中科院半导体所团队联合攻破2-6英寸衬底生产技术，产能为1万片/年。中国InP材料行业虽在材料合成、晶体生长、材料热处理和材料特性等方面取得进步，并掌握了2-6英寸衬底片的技术，但中国企业产能规模仍较小，大尺寸InP产能不足，市场主要掌握在国际巨头企业中。GaAs衬底:美国AXT、日本住友电工、德国弗莱贝格化合物材料占据全球GaAs衬底95%的市场份额。中国可生产GaAs衬底的企业包括大庆佳昌、中科晶电、云南鑫耀、廊坊国瑞、天津晶明、新乡神州、扬州中显、中科嫁英、海威华芯、有研新材等公司，其中中科晶电和天津晶明具备4英寸GaAs衬底的生产能力但并未形成大规模量产。现阶段，中国高质量4-6英寸GaAs衬底基本依赖进口。 产业链分析 中游 Fabless模式下的企业只负责芯片的设计与销售，将磊晶生长以及晶粒制造环节外包。Fabless芯片设计企业无需建设自身的生产线，因此企业资产较轻，初始投资规模小。中国目前大多光通信芯片企业采用Fabless模式，例如华为海思、飞昂光电等。Foundry企业只负责磊晶生长以及晶粒制造，不负责芯片设计。Foundary企业可以同时为多家设计公司提供服务，且不承担由市场调研不准、产品设计缺陷等造成的风险。但磊晶生长与晶粒制造都属于资产密集型行业，前期投资规模较大，维持生产线正常运作费用较高。现阶段，中国磊晶生长企业能力严重不足，外延技术进口依赖严重。IDM模式下的企业业务覆盖光通信芯片整个生产流程包括芯片设计、磊晶生长以及晶粒制造环节。IDM厂商拥有单独生产光通信芯片的能力，主要优势在于设计、制造等环节协同优化，有助于充分发掘技术潜力。典型的IDM光通信芯片厂商有Finis