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09 级半导体器件物理 A 卷答案 15( 晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得 项 目 一 二 三 四 五 总分 ( C ) A( 较厚 B( 较薄 C( 很薄 满分 100 16(pn 结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而 ( A ) 。 得分 A( 展宽 B( 变窄 C( 不变 17(在开关器件及与之相关的电路制造中， ( C ) 已作为缩短少数载流子寿命的 有效手段。 A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺 一、 选择题 :( 含多项选择， 共 30 分， 每空 1 分，错选、漏选、多选 18(在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电 压叫 ( B ) 。 均不得分 ) A 饱和电压 B 击穿电压 C 开启电压 1( 半导体硅材料的 晶格结构是 ( A ) 19( 真空能级和费米能级的能值差称为 ( A ) A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 A 功函数 B 亲和能 C 电离电势 2( 下列固体中，禁带宽度 Eg 最大的是 ( C ) 20( 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是 ( A ) , 金属 , 半导体 , 绝缘体 A 发射区 B 基区 C 集电区 3( 硅单晶中的层错属于 ( C ) 21( 栅电压为 零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成 P 沟道，该 MOSFET为 ( A ) , 点缺陷 , 线缺陷 , 面缺陷 A P 沟道增强型 B P 沟道耗尽型 C N 沟道增强型 D N 沟道耗尽 型 4( 施主杂质电离后向半导体提供 ( B ) ，受主杂质电离后向半导体提供 ( A ) ， 本征激发后 向半导体提供 ( A B ) 。 判断题 ( 共 20 分，每题 , 分) 二、常州信息职业技术 学院 2010 ,2011 A 空穴 B 电子 ,(( ? ) 半导体材料的导电性能介于导体和绝缘 体之间。 5( 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠 ( A ) ,(( ? ) 半导体中的电子 浓度越大，则空穴浓度越小。 业技术学院 2010 ,2011 学年第 一 A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 ,(( × ) 半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动 的散射。 6( 衡量电子填充能级水平的是 ( B ) ,(( × ) 杂质半导体的电阻率随着 温度的增加而下降。 2010 ,2011 学年第 一 学期 半导 , 施主能级 , 费米能级 , 受主能级 D 缺陷能级 ,(( ? ) 半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子 的寿命就越短。 27( 载流子的迁移率是描述载流子 ( A ) 的一个物理量 ; 载流子的扩 散系数是描述载流子 ( B ),(( ? ) 非简并半导体处于热平衡状态的判据是 np=n。 00i 学年第 一 学期 半导体器件物理 的一个物理量。 ,(( ? )MOSFET 只有一种载 流子 ( 电子或空穴 ) 传输电流。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 ,(( ? ) 反向电 流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。 ,, 学期 半导体器件