集成电路课件设计part.pptxVIP

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2022-03-09 发布于北京
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集成电路课件设计part.pptx

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二极管;Esd保护;衬底ESD二极管;N阱ESD二极管;;寄生效应;寄生效应;N阱电阻 P衬底和N阱构成二极管，称为寄生二极管该二极管为反偏的;反偏的PN结耗尽层电容的形成;耗尽层电容由底部电容和侧壁电容构成电容值 m——梯度系数 ?0——内建电势与材料掺杂有关 ;零偏压耗尽层电容Cj0的计算例：100?m?100?m 零偏压耗尽层电容为100aF/?m2，阱深3?m Cj0b=100aF/?m2?(100?m) 2=1pF Cj0s=100aF/?m2?(3?m?400?m) =0.12pF ;耗尽层电容值;延迟时间：输出电压跳变到稳定电压值的50%所需时间;延迟时间的估算： Td=0.35RC R——阱电阻阻值；C——阱电阻零偏压底部电容例：250K电阻，长300?m，宽3?m，零偏压耗尽层电容为100aF/?m2，则 Td=0.35RC=0.35?250K?100aF/?m2?300?m?3?m=7.88ns;寄生NPN管 N阱电阻的设计规则;平板电容;两层金属的情况;100?m?100?m metal2和衬底间的电容 15aF?100?100+85aF?400=0.18pF ;计算寄生参数值 R=R??20000?m/4?m=0.06?5000=300 C=26aF?20000?4=2.08pF 延迟时间0.35RC=0.218?s;10?m?10?m metal1和metal2的电容 C12=38aF?10?10+104aF?40=7.96fF ;寄生电容;寄生电容;金属线之间的寄生电容;减小寄生电容的方法;寄生电阻;电源布线;减小寄生电阻;二极管;二极管模型;二极管模型;正向偏置的PN结上有存储电容，其电容值与载流子的渡越时间、管上的电容有关 ;SPICE 参数;MOSFET;栅电容;MOSFET的寄生效应;MOS器件电容;（2）耗尽层电容耗尽层电容主要是由源、漏扩散区与衬底或P阱之间形成的PN结电容。它由两部分组成：底面结电容和周边电容。 Cd=Cja*（ab）+Cjp*（2a+2b）其中：Cja 每平方?m的结电容 Cjp 每?m的周边电容 a 扩散区宽度 b 扩散区长度;MOSFET模型参数;减小CMOS器件寄生效应;减小CMOS器件寄生效应;长MOS管;;源-漏共享;CMOS无源元件;CMOS无源元件;电阻和温度、电压的关系;保护环