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E验九硅光电池特性的研究 大学物理实验 e验九硅光电池特性的研究大学物理实验 E.硅光电池特性研究lowbar；大学物理实验 .::实验九硅光电池特性的研究::. 图一硅光电池实验装置全视图 来源上海交通大学物理实验中心 光电池是一种非常重要的光电检测元件。可直接将光能转换为电能，无需外接电源。光电池种类繁多，包括硒、锗、硅、砷化镓等，其中硅光电池最受重视，因为它具有一系列优点：性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、转换效率高，同时，硅光电池的光谱灵敏度接近人眼的光谱灵敏度，因此许多分析仪器和测量仪器经常使用它。本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作了初步的了解和研究 .::实验预习::. 硅光电池的照明特性 硅光电池是属于一种有pn结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制成．当光照射在pn结上时，由光子所产生的电子与空穴将分别向p区和n区集结，使pn结两端产生光生电动势．这一现象称为光伏效应． （1） 硅光电池短路电流与照度的关系 当光照射硅光电池时，将产生一个由n区流向p区的光生电流iph，同时由于pn结二极管的特性，存 在正向二极管电流ID中，电流方向是从P区到n区，与光生电流相反，因此实际获得的电流I为 式中v为结电压，i0为二极管反向饱和电流，iph是与入射光的强度成正比的光生电流，其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关．n为理想系数是表示pn结特性的参数，通常在1-2之间，q为电子电荷，kb为波尔茨曼常数，t为绝对温度．在一定照度下，光电池被短路（负载电阻为零）则v=0由（1）式可得到短路电流 硅光电池的短路电流和照明特性见图1 （2）硅光电池的开路电压与照度关系 当硅光电池的输出端开路时，I=0，开路电压可从方程式（1）和（2）中获得 （3）硅光电池开路电压与照度特性见图1． 2.硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载r时，硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态．它的伏安特性见图2．由图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： （1） 在反向偏置工作状态下，光电流几乎与偏置电压和负载电阻无关（在大动态范围内）； （2）无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大． 从图2可以看出，在一定照度下，电流轴上的负载曲线截距为短路电流IPH，电压轴上的截距为开路电压VOC 图2硅光电池的光谱响应． 图3显示了硅光电池的光谱特性曲线 即相对灵敏度kr和入射光波长λ的关系曲线．从图3中可看出，硅光电池的有效范围约在450—1100nm之间．实验室给出六种不同的滤色片，透过各滤色片光的波长见表1． 表1彩色滤光片的波长值 （1）实验中所用光源为发光二极管，二极管发出的光再打在荧光粉上发出白光，其各谱线所对应的光强与波长有关，本实验中所用光源的相对光强与波长λ关系写在桌子上的表格上面． 表2与光源波长对应的相对光强度 （2）实验室给出的各种波长滤色片的波长并不严格，它有一定的宽度，给出的仅仅是峰值．表征宽度通常是用半带宽?λ表示，滤色片的峰值透射率用t表示，各个波长滤色片的?λ和t并不一致，即使同一波长滤色片的峰值透射率在技术上也很难做到一致．因此，对每组实验仪器，各波长滤色片对应的峰值透射率t及半带宽?λ已附在各组实验仪器上． （3） 硅光电池的灵敏度K为 （4）p(λ)为硅光电池测得的光强，可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度Kr为 km为不同波长对应k（λ）的最大值 4.实验中，光源的能量主要集中在红外区域。本实验中使用的偏光镜不会使红外偏光。因此，有必要选择合适的滤色片滤除红外光，从而验证马吕斯定律的实验内容 .::实验仪器::. 硅光电池、光导轨及配套附件、光源、聚光镜、比色槽、数字万用表、多圈电位器、滤色片、偏光片、照度计 .::思考题::. 1.如果实验中使用的光源电压发生变化，表2中提供的参数是否发生变化？ 提示：实验中所用的光实际上是二极管直接发出的光打到荧光粉上，然后发出的荧光，相对光强的分布，应该取决于荧光粉的性质，和所加的电压没有关系。所以，所用光源的电压变化，表二提供的参数应该不发生变化。 2.硅光电池的输出与入射光照射瞬间之间是否存在滞后？我们能用实验来证明吗 提示：有。入射光照射讯号需要先改变载流子的分布，再改变硅光电池的输出，这个光电过程是需要反应时间的。 这种延时可以通过实验得到证实。事实上，在光通