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■ 基片平坦度参数 第五十一页，共七十八页。 ■ 基片平坦度参数 第五十二页，共七十八页。 L h ITO膜面向上 计算方法：Warp=h/L *100% 玻璃厚度（mm） 1.1 0.7 0.5/0.55 0.4 翘曲度（%） ≤0.10% ≤0.12% ≤0.15% ≤0.20% 玻璃镀膜后不允许有S形变形。 ■ 基片翘曲度参数 第五十三页，共七十八页。 基板垂直度:用a/L表示(如图) 用来描述玻璃基板四条边互相垂直的程度 L a 通常a/L≤0.1% ■ 基片垂直度 第五十四页，共七十八页。 距边缘5mm以内的区域。 国家标准中规定的是距边缘3mm以内的区域。 （国内几大主要LCD厂家如天马、信利的接收标准都是5mm） ■ 基片有效使用面积 第五十五页，共七十八页。 ??????※具有导电性的材质： ??????1) 金 ?属：通过自由电子的移动具有导电性。 ??????2) 半导体：电子或者孔穴持有部分导电性。 ??????3) 绝缘体：满带的电子持有导电性，但几乎没有电子的移动，所以不导电。 ?????※ITO?具有导电性的原因 ??????? ITO是 In2O3 被 SnO2 置换，如同下面反应式。 ?????? 根据上面的反应式实际起导电作用的是Sn和In置换过程中提供的电子。但是从 Sn 跳出来的电子不是在传导带上，而是在禁带上，所以在导电方面几乎没有做贡献，因此 ITO 物质不能导电。但是，ITO实际上按照下面的反应式进行导电。 按照上面的反应式时，?一个原子的2个氧电子处于传导带可以导电。即，有氧离子空洞（vacancy）ITO才可以导电。(vacancy：是指1个到?250个左右的原子跃居的空间；反面void是指数十万个的原子跃居的空间。)，所以ITO可以称为n-型半导体。因此化学理论上ITO不能导电，实际导电的是氧离子稍微不足的非化学理论的ITO。 ■ ITO 导电原因 第十九页，共七十八页。 ■ 镀SIO2膜的必要性 ○ ITO玻璃的原板玻璃是廉价的碱性玻璃，玻璃内含有3wt%的 Na2O成分。 ① 玻璃中的钠离子移动到表面碰到空气后被大气中的水分引起Na+的涌出。 ② 涌出的Na+和水分中的OH+及大气中CO2进行复合化学反应，导致玻璃模糊。 ③ Na+进入ITO膜内跟ITO膜中的氧气进行反应，导致电阻系数上升及产生其 他不良影响。 ※.为了防止Na+的涌出在玻璃基板和ITO薄膜之间镀一层SIO2膜(200-300A) 第二十页，共七十八页。 ■ 基板成份 第二十一页，共七十八页。 ○ 什么是 RF 溅射？ 使用绝缘体电极，利用交流电源，周期性施加正负电压在靶材表面不累计离子和电子的情况下，维持辉光放电的方法。 ○.反面发生异物原因 RF电源周期性变化正负电压的同时，电子的流动要流畅，而且以一定的状态存在，但部分部件受污染后发生电阻差，所以电子会集中在一起，这样会发生电击现象并粘贴在部件上而形成污染源，当该污染物粘贴到玻璃上时，就形成了异物缺陷。 ※.妨碍电子移动的因素 - 阴极绝缘 - 框架绝缘 - 匹配 - 部件污染 ■ RF溅射 第二十二页，共七十八页。 氧化物或者绝缘体作为靶材时DC溅射无法进行，但RF溅射可以解决这种问题，特别是氩气压力低的时候也可以维持等离子体[Plasma]。 RF电源除了对金属材质进行溅射外，也可以对非金属、绝缘体、氧化物等材质进行溅射，主要使用13.56?的高频电源。 DC 溅射 RF 溅射 靶材材质 导体 导体/绝缘体/非金属 辉光放电的Ar压力 10-15mTorr 2-5mTorr 成膜速度 速度高，对Ar不敏感 速度低，对Ar敏感 在线方式 溅射沉积 ■ RF溅射特性 第二十三页，共七十八页。 基板介绍 第二十四页，共七十八页。 常规产品厚度：1.1mm，0.7mm，0.55mm， 0.5mm 0.4mm，0.3mm 常规产品尺寸：14*14，14*16，14*17 300*320mm，300*350mm，300*360mm 370*400mm，370*470mm，400*500mm 基板分类 碱 玻 璃— 钠钙玻璃，用于TN及STN LCD。板硝子NSG，旭硝子Asahi， 中央硝子Central Glass， 硼硅玻璃