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晶体生长的扩散学说及速度 晶体生长的扩散学说 溶质通过扩散作用穿过靠近晶体表面的一个滞流层，从溶液中转移到晶体的表面； 到达晶体表面的溶质长入晶面，使晶体增大，同时放出结晶热； 结晶热传递回到溶液中； 根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差； 而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反应过程，此时反应的推动力是晶体表面浓度与饱和浓度的差值 扩散方程 扩散过程 表面反应过程 — 质量传递速度 Kd—扩散传质系数 Kr—表面反应速度常数 C，Ci，C*—分别为溶液主体浓度、溶液界面浓度、溶液饱和浓度 Chapter 10结 晶Crystallization 本章主要知识点 结晶的概念 结晶操作的特点 凯尔文公式的内容 饱和温度曲线和过饱和温度曲线 溶液中晶体析出的条件 影响晶体形成的主要因素 晶种的作用 过饱和溶液形成的方法 晶体生长的扩散学说及其具体意义 常用的工业起晶方法 影响晶体质量的因素 重结晶的概念 结晶的概念 溶液中的溶质在一定条件下，因分子有规则的排列而结合成晶体，晶体的化学成分均一，具有各种对称的晶体，其特征为离子和分子在空间晶格的结点上呈规则的排列 固体有结晶和无定形两种状态 结晶 析出速度慢，溶质分子有足够时间进行排列，粒子排列有规则 无定形固体 析出速度快，粒子排列无规则