真空蒸发镀膜.pptVIP

②点源的蒸发特性：点源dA1以每秒m克的蒸发速 率均等的向各个方向蒸发，则单位时间内在任 何方向上通过立体角dω的蒸发材料质量为： kg/s m—点源的总蒸发速率kg/s； dω—dA平面的立体角（弧度） 假定膜材密度为ρ，则单位时间内沉积在dA2平面 上的膜材平均厚度为： ③点源对平面基片蒸发的膜厚分布 点P（x，y，h）处的膜厚 垂足处膜最厚： 各点的相对膜厚： 各点的相对膜厚： ④常用计算——以 点源正对固定圆基片的蒸发为例 膜厚最大绝对偏差： 相对偏差：1— 平均膜厚： 膜材利用率： 膜厚分布均方差： ⑤典型计算 点源正对固定圆基片的蒸发； 点源斜对固定圆基片的蒸发； 点源斜对旋转圆基片的蒸发； 点源斜对固定矩形基片的蒸发； 3）小平面蒸发源的蒸发特性与膜厚分布 ①小平面源的定义： 只能向半空间一侧发射膜材的微小平面状蒸发源称为小平面蒸发源（简称小平面源）。 　　小平面源的发射模式：上切球面； 遵守余弦定律 图1小平面蒸发源的发射示意图 图1 小平面蒸发源的发射示意图 ②小平面源的蒸发特性： 小平面蒸发源dA1以每秒m克的蒸发速率从小平面源的一面蒸发膜材时，在单位时间内通过与该小平面源的法线成Ф角度方向的立体角为dω的膜材质量为dm，由余弦定律可知有： 如接受膜材的小平面dA2与蒸发方向成θ角度，则到达dA2上的膜材质量dm2为 假定膜材密度为ρ，则单位时间内沉积在dA2平面上的膜材平均厚度为： ③小平面源对平行平面基片蒸发的膜厚分布 θ=φ 点P（x，y，h）处的膜厚 垂足处膜最厚： 各点的相对膜厚： 图示：小平面源分布曲线比点源分布曲线更不均匀些。 ④常用计算——以 小平面源正对固定圆基片的蒸发为例 膜厚最大绝对偏差；相对偏差（比点源大）；平均膜厚；膜材利用率（比点源高）；膜厚分布均方差（比点源大）；使用公式与点源公式相同。 第三章 真空蒸发镀膜 Vacuum evaporative coating 定义： 真空蒸发镀膜，是将膜材加热汽化，实现镀膜的一种方法，是真空镀膜技术中发明最早、应用最广的。 历史： 电阻加热式蒸发镀膜已有百年历史 教学重点：镀膜原理、条件； 蒸发源； 源的蒸发特性和膜厚分布计算； 典型镀膜机。 3.1 真空蒸发镀膜原理 Principle of Vacuum Evaporative Coating 原理、结构与特点 principle, structure, characteristics 真空蒸发镀膜原理图 真空室 Coating chamber 蒸发源 Evaporation Sources 加热器 heater 蒸发舟boat ( filament ) 膜材 film materials挡板 shutter (shelter) 膜材蒸汽 基片 substrate 基片架substrate holder (substrate carrier) 基片加热器 heater 膜厚测量系统 特点：设备简单，操作容易；沉积速率大，成膜快；薄膜生长机理简单，膜的纯度高。 2)蒸发镀膜的三个基本过程及条件3 basic processes 蒸发过程：由凝聚相变为汽相、进入蒸发空间的相变过程 evaporation process 输运过程：由膜材表面飞行到基片表面transfer process 沉积过程：由汽相变为凝聚相 deposition process 3）蒸发镀膜的真空条件 Vacuum condition ① 在真空条件下镀膜的目的、优点： 真空条件下易于蒸发（需要熔化的金属，熔、沸点降低；(melting point boiling point)需要汽化的金属，易于脱离表面形成蒸汽）； 真空条件下易于空间输运（膜材粒子散失少particle scattering ）； 真空条件下易于膜的生长（残余气体影响小 residual gas） ② 所需真空度的计算：(按输运条件计算) 膜材粒子在残余气体中的平均自由程：mean free path of film particles in residual gas 严格计算，按粒子在残余气体中的平均自由程公式 简化计算，按常温空气分子的平均自由程公式