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电力电子复习试卷 含答案 电力电子复习试卷-含答案 ?????????? 数字一点座位线工业（专用）产权章？答复医院在学校？线密封秘密(! 华南理工大学期末考试 电力电子技术基础试卷 注意事项：1.考前请将密封线内填写清楚； 2.请直接在试卷（或答题纸）上回答所有答案；3.考试形式：闭卷； 4.本试卷共大题，满分100分，考试时间120分钟。题号一二三四五总分得分评卷人 一、 多项选择题（单选，共10分） 1．关于绝缘栅双极型晶体管(igbt)，下面说法错误的是(a) a、 与MOSFET相比，IGBT具有更大的导通电阻，因此导通损耗更大。B.IGBT由MOSFET和GTR制成 c．igbt工作在开关状态时，是在正向阻断区和饱和区之间转换d．开关频率介于gtr和mosfet之间 2.三相半波可控整流电路在电阻负载下的移相范围为（c）a.90°b.120°c.150°D.180° 3．单相桥式全控整流电路中，由于变压器漏感造成的换流压降为(a)a． 2.xbidb.xbid c． 12? xd.3出价？Xbid4。在下列电路中，不能实现有源逆变器的电路是（b） a．单相双半波可控整流电路b．单相桥式半控整流电路c．单相桥式全控整流电路d．三相桥式全控整流电路5．下列可控整流电路中，输出电压谐波含量最少的是(d)a．三相半波b．单相双半波c．三相桥式d．十二相整流6．电压型逆变电路的特点不包含(a)a．直流侧接大电感b．交流侧电流接正弦波c．直流侧电压无脉动d．直流侧电流有脉动 7.斩波电路的调压方式为（c） a．改变开关频率b．改变开关周期c．改变占空比d．改变负载电流8．三相桥式全控整流电路，阻感负载，采用同步信号为锯齿波的触发电路，同步信号正弦波落后于加于晶闸管的相电压(c) a、 90ob.120oc.180od.240o 9．交－交变频电路的最高工作频率为（b） a、 电源频率B的2到3倍 12倍到13倍c.和电源频率相同d.电源频率的整数倍 试卷第1页，共9页 _____________________10．spwm的电路基波是(a) a、 正弦波B.三角波C.锯齿波D.方波 二．是非判断题（共10分） 1.“电力电子技术”的特点之一是控制由小信息输入驱动的大功率输出。？？？？（t） 二,。达林顿复合管和功率晶体管属于电流驱动开关管；功率场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管是电压驱动开关。？？？？？？？？？？？？？？？？？（t） 三,。对于输入连接到整流变压器的可控整流电路，变压器具有直流磁化，包括三相半波整流电流、单相半波可控整流电流和单相双半波直流电路。？？？？？？？？？？（f） 四,。开关的损坏可能由过电流、过压、过热或驱动电路故障引起。？？？？？（t） 五,。对于三相半波整流电路，当电阻负载的ID恒定时，流经晶闸管的电流的有效值随控制角α的增加而增加。？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？（f） 六,。对于三相半波整流电路的电阻负载，当α＝45o，u2？在100V时，平均输出电压约为 为85v。???????????????????????????? （t） 7．在spwm控制的逆变电路中，载波频率越高，谐波频率也就越高，高次谐波也就越容易滤除。??????????????????????????(t)8．在gtr的驱动电路设计中，为了使gtr快速导通，应尽可能使基极驱动电流大些。?????????????????????????????(f)9．尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可作为晶闸管的门极控制信号。?????(t)10．在有源逆变电路中，当某一晶闸管发生故障，失去开通能力，则会导致逆变失败。?????????????????????????????(t) 三、 填空（每个问题3分，共15分） 1．正弦脉宽调制（spwm）技术用于电压型逆变电路中，当改变调制比可改变逆变器输出电压幅值；改变调制波频率可改变逆变器输出电压频率；改变载波频率可改变开关管的工作频率。 2.三相桥式可控整流电路，如果输入电压为U2？100罪？t、 电阻负载，设置控制角度 ??30?，则输出电压ud＝82.73v。 3.在DC-DC转换器的升压电路中，uid=0.7，然后uo=33.3。？10.0v vt1tu1u2vt2u2r4．单相双半波（又称单相全波）可控整流电路，如图1所示，该变压器直流磁化问题（填有无），在电阻性负载时，晶闸管承受的最大