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刻蚀槽液面 刻蚀槽硅片生产时正常液面 滚轴 硅片间液面 硅片 第三十页，共四十八页。 刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理 此为生产mono125-150硅片时图片 硅片完全悬空 硅片尾部吸附刻蚀液 第三十一页，共四十八页。 刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理 此为生产mono125-150硅片时图片 刻蚀液完全吸附 第三十二页，共四十八页。 刻蚀槽前后硅片状态比较 此为生产mono125-150硅片时图片 硅片刚进入刻蚀槽 硅片刻蚀后，边缘水印为反应生成的水 第三十三页，共四十八页。 Rinse 1 一号洗槽采用循环水喷淋，两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液。 上水刀 下水刀 风刀 第三十四页，共四十八页。 刻 蚀 培 训 技术质量部 第一页，共四十八页。 生产线工艺流程 磷扩散形成pn结 刻蚀 扩散前酸洗 制绒 烧结 丝网印刷及烘干 镀减反膜 分类 包装 第二页，共四十八页。 刻蚀的种类 1 干法刻蚀---等离子体刻蚀 2 湿法刻蚀---化学腐蚀 第三页，共四十八页。 * 什么是等离子体？ 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的三态。 当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态。这种状态的物质叫等离子体。它可以称为物质的第四态。 第四页，共四十八页。 * 等离子体的应用 第五页，共四十八页。 * 等离子体的产生 第六页，共四十八页。 * 等离子体刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 第七页，共四十八页。 * 等离子体刻蚀反应 第八页，共四十八页。 * 首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 生产过程中，在中CF4掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 第九页，共四十八页。 * 等离子体刻蚀工艺 　在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 第十页，共四十八页。 什么是湿法刻蚀 化学腐蚀 在半导体生产中，半导体材料或金属等材料与腐蚀液发生化学反应，从而去除材料表面的损伤层或在材料表面获得一定形状的图形过程。 湿法刻蚀 湿法刻蚀其实是腐蚀的一种，是对硅片边缘的腐蚀，但不影响太阳电池的工艺结构。 HF/HNO3体系，利用其各向同性腐蚀特性，使用RENA in-line式结构的设备，利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的N型。 简单设备结构与工艺说明图示 第十一页，共四十八页。 HF/HNO3体系腐蚀机理 硅在HON3+HF溶液中的腐蚀速率大，而在纯HNO3或纯HF溶液中的腐蚀速率很小。 图：硅在70%（重量）HNO3+49%（重量）HF混合液中的腐蚀速率与成分的关系 在低HNO3及高HF浓度区（图右角区）等腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线 。 在低HF高HNO3浓度区（图左下角区）等腐蚀线平行于HF浓度线。 第十二页，共四十八页。 HF/HNO3体系腐蚀机理 根据这一特性，我们可以把常用的酸性腐蚀液（通常由不同比率的硝酸（HNO3）,氢氟酸（HF）及缓冲液等组成）的腐蚀机理分为两步： 1.利用硝酸（HNO3）氧化硅片表面 Si+2HNO3?SiO2+2HNO2 2HNO2?NO+NO2+H2O 2.利用氢氟酸（HF）与氧化硅生成可溶于水的络合物． SiO2+6HF?H2SiF6+2H2O 第十三页，共四十八页。 HF/HNO3体系腐蚀机理 大致的腐蚀机制是HNO3 (一种氧化剂)腐蚀，在硅片表面形成了一层SiO2，然后这层SiO2在HF 酸的作用下去除。 在低HNO3及高HF浓度区，生成SiO2的能力弱而去除SiO2的能力强，反应过程受HNO3氧化反应控制，所以腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线 。 在低HF高HNO3浓度区，生成SiO2的能力强